MMQA13VT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效功率晶體管,適用于高頻和高功率密度的應(yīng)用場景。這款器件采用了先進的 GaN-on-Silicon 工藝,具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和高效率的特點,能夠顯著提升電源系統(tǒng)的性能。
該型號主要面向消費電子、工業(yè)設(shè)備以及通信基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域,適合用于 AC-DC 轉(zhuǎn)換器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流:15A
導(dǎo)通電阻:80mΩ
柵極電荷:45nC
開關(guān)頻率:最高支持 2MHz
封裝形式:TO-247
MMQA13VT1G 具備以下突出特性:
1. 高效功率轉(zhuǎn)換能力:得益于其低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗設(shè)計,能夠在高頻工作條件下保持較高的效率。
2. 快速開關(guān)性能:相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET,GaN 器件具備更快的開關(guān)速度和更小的寄生電容,有助于減小死區(qū)時間并提高系統(tǒng)動態(tài)響應(yīng)。
3. 緊湊的解決方案:更高的開關(guān)頻率允許使用更小的無源元件(如電感和電容),從而縮小整體電路尺寸。
4. 穩(wěn)定性與可靠性:通過優(yōu)化的熱管理和堅固的結(jié)構(gòu)設(shè)計,確保在惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定運行。
5. 易于驅(qū)動:兼容標(biāo)準(zhǔn)邏輯電平驅(qū)動信號,簡化了外圍電路設(shè)計。
MMQA13VT1G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 消費類快充適配器:為手機、平板電腦和其他便攜式設(shè)備提供高效的充電方案。
2. 數(shù)據(jù)中心電源:作為 DC-DC 轉(zhuǎn)換模塊的核心組件,實現(xiàn)高效率的能量傳輸。
3. 無線充電設(shè)備:利用高頻特性提升無線充電效率。
4. 太陽能逆變器:用于 MPPT 控制和能量轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié),優(yōu)化光伏發(fā)電系統(tǒng)的輸出性能。
5. 電動汽車充電樁:支持快速充電功能,滿足新能源汽車的需求。
MMQ15VT1H