MMT05B310T3G 是一款由安森美(onsemi)推出的高壓 MOSFET,屬于 MMT 系列,采用 TO-263 封裝。該器件具有高可靠性、低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電源管理、電機(jī)驅(qū)動以及消費類電子設(shè)備中。其設(shè)計優(yōu)化了高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性和效率,適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。
這款器件的額定電壓為 310V,能夠承受較高的漏源電壓,同時具備較低的導(dǎo)通電阻以減少功率損耗。通過先進(jìn)的制造工藝,MMT05B310T3G 提供了卓越的電氣特性和熱性能,使其成為高性能電力電子系統(tǒng)的理想選擇。
型號:MMT05B310T3G
封裝:TO-263
漏源極擊穿電壓:310V
連續(xù)漏極電流:5A
導(dǎo)通電阻:0.8Ω
柵極電荷:37nC
總電容:350pF
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
MMT05B310T3G 具備以下主要特性:
1. 高額定電壓(310V),適用于多種高壓應(yīng)用。
2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on) = 0.8Ω 典型值),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)能力,支持高頻操作,減少磁性元件體積和系統(tǒng)成本。
4. 支持高達(dá) +175℃ 的結(jié)溫工作,適合在惡劣環(huán)境下運行。
5. 內(nèi)部保護(hù)功能包括雪崩能量吸收能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
7. TO-263 封裝提供良好的散熱性能,簡化 PCB 設(shè)計。
MMT05B310T3G 常用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
2. 電機(jī)驅(qū)動電路中的逆變器或斬波器。
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電磁閥和繼電器驅(qū)動。
4. LED 照明驅(qū)動器中的恒流控制器。
5. 消費類電子產(chǎn)品中的適配器和充電器。
6. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負(fù)載開關(guān)。
7. 家用電器和工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。
MMT05B310T3GK, MMT05B310T3GL