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MMT05B310T3G 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 9:42:11 查看 閱讀�19

MMT05B310T3G 是一款由安森美(onsemi)推出的高壓 MOSFET,屬� MMT 系列,采� TO-263 封裝。該器件具有高可靠�、低�(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電源管理、電�(jī)�(qū)動以及消費類電子�(shè)備中。其�(shè)計優(yōu)化了高溫�(huán)境下的穩(wěn)定性和效率,適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��
  這款器件的額定電壓為 310V,能夠承受較高的漏源電壓,同時具備較低的�(dǎo)通電阻以減少功率損耗。通過先�(jìn)的制造工藝,MMT05B310T3G 提供了卓越的電氣特性和熱性能,使其成為高性能電力電子系統(tǒng)的理想選��

參數(shù)

型號:MMT05B310T3G
  封裝:TO-263
  漏源極擊穿電壓:310V
  連續(xù)漏極電流�5A
  �(dǎo)通電阻:0.8Ω
  柵極電荷�37nC
  總電容:350pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

MMT05B310T3G 具備以下主要特性:
  1. 高額定電壓(310V),適用于多種高壓應(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on) = 0.8Ω 典型值),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)能力,支持高頻操�,減少磁性元件體積和系統(tǒng)成本�
  4. 支持高達(dá) +175� 的結(jié)溫工作,適合在惡劣環(huán)境下運行�
  5. �(nèi)部保�(hù)功能包括雪崩能量吸收能力,增�(qiáng)了器件的魯棒性�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  7. TO-263 封裝提供良好的散熱性能,簡� PCB �(shè)��

�(yīng)�

MMT05B310T3G 常用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電機(jī)�(qū)動電路中的逆變器或斬波��
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電磁閥和繼電器�(qū)��
  4. LED 照明�(qū)動器中的恒流控制��
  5. 消費類電子產(chǎn)品中的適配器和充電器�
  6. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的�(fù)載開�(guān)�
  7. 家用電器和工�(yè)�(shè)備中的功率管理模塊�

替代型號

MMT05B310T3GK, MMT05B310T3GL

mmt05b310t3g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mmt05b310t3g資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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mmt05b310t3g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別過電�,電�,溫度裝�
  • 家庭TVS - 晶閘�
  • 系列-
  • 電壓 - 擊穿365V
  • 電壓 - 斷路270V
  • 電壓 - �(dǎo)通狀�(tài)3V
  • 電流 - 峰值脈�(8 x 20µs)150A
  • 電流 - 峰值脈�(10 x 1000µs)50A
  • 電流 - 保持 (Ih)150mA
  • 元件�(shù)1
  • 電容75pF
  • 封裝/外殼DO-214AA,SMB
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMT05B310T3GOSMMT05B310T3GOS-NDMMT05B310T3GOSTR