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MMT05B310T3G 發(fā)布時間 時間:2025/5/8 9:42:11 查看 閱讀:19

MMT05B310T3G 是一款由安森美(onsemi)推出的高壓 MOSFET,屬于 MMT 系列,采用 TO-263 封裝。該器件具有高可靠性、低導(dǎo)通電阻和出色的開關(guān)性能,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電源管理、電機(jī)驅(qū)動以及消費類電子設(shè)備中。其設(shè)計優(yōu)化了高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性和效率,適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。
  這款器件的額定電壓為 310V,能夠承受較高的漏源電壓,同時具備較低的導(dǎo)通電阻以減少功率損耗。通過先進(jìn)的制造工藝,MMT05B310T3G 提供了卓越的電氣特性和熱性能,使其成為高性能電力電子系統(tǒng)的理想選擇。

參數(shù)

型號:MMT05B310T3G
  封裝:TO-263
  漏源極擊穿電壓:310V
  連續(xù)漏極電流:5A
  導(dǎo)通電阻:0.8Ω
  柵極電荷:37nC
  總電容:350pF
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

MMT05B310T3G 具備以下主要特性:
  1. 高額定電壓(310V),適用于多種高壓應(yīng)用。
  2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on) = 0.8Ω 典型值),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  3. 快速開關(guān)能力,支持高頻操作,減少磁性元件體積和系統(tǒng)成本。
  4. 支持高達(dá) +175℃ 的結(jié)溫工作,適合在惡劣環(huán)境下運行。
  5. 內(nèi)部保護(hù)功能包括雪崩能量吸收能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
  7. TO-263 封裝提供良好的散熱性能,簡化 PCB 設(shè)計。

應(yīng)用

MMT05B310T3G 常用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  2. 電機(jī)驅(qū)動電路中的逆變器或斬波器。
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電磁閥和繼電器驅(qū)動。
  4. LED 照明驅(qū)動器中的恒流控制器。
  5. 消費類電子產(chǎn)品中的適配器和充電器。
  6. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負(fù)載開關(guān)。
  7. 家用電器和工業(yè)設(shè)備中的功率管理模塊。

替代型號

MMT05B310T3GK, MMT05B310T3GL

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mmt05b310t3g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別過電壓,電流,溫度裝置
  • 家庭TVS - 晶閘管
  • 系列-
  • 電壓 - 擊穿365V
  • 電壓 - 斷路270V
  • 電壓 - 導(dǎo)通狀態(tài)3V
  • 電流 - 峰值脈沖(8 x 20µs)150A
  • 電流 - 峰值脈沖(10 x 1000µs)50A
  • 電流 - 保持 (Ih)150mA
  • 元件數(shù)1
  • 電容75pF
  • 封裝/外殼DO-214AA,SMB
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMT05B310T3GOSMMT05B310T3GOS-NDMMT05B310T3GOSTR