MMT10B230T3G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高性能功率晶體�,采用先進的封裝技術設�,主要應用于高頻和高效率電源轉換領域。該器件具有低導通電�、快速開關速度和高耐壓特性,能夠顯著提升電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度�
MMT10B230T3G 屬于 enhancement-mode GaN HEMT(增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管),其結構設計使其能夠在高頻條件下保持高效性能,并且易于與傳統(tǒng) MOSFET 驅動器兼容�
額定電壓�230V
額定電流�10A
導通電阻:8mΩ
柵極電荷�15nC
最大工作結溫:175�
封裝類型:TO-247-3
MMT10B230T3G 擁有以下關鍵特性:
1. 超低導通電�,有效降低傳導損��
2. 快速開關速度,支持高頻操�,減少磁性元件體��
3. 高擊穿電壓能力,確保在惡劣環(huán)境下�(wěn)定運��
4. 增強型模式操作,簡化驅動設計并提高可靠��
5. 兼容標準 MOSFET 驅動電路,無需額外復雜設計�
6. 封裝散熱性能�(yōu)�,適合高功率密度應用�
MMT10B230T3G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)設計,包括 AC-DC � DC-DC 轉換��
2. 太陽能逆變器中的功率級�(yōu)化�
3. 電動汽車充電設備中的高頻功率轉換�
4. 工業(yè)電機驅動� UPS 系統(tǒng)�
5. LED 驅動器和 PFC(功率因�(shù)校正)電��
這款 GaN 晶體管憑借其�(yōu)異的性能,非常適合需要高效率、小尺寸和輕量化的設計場��
MMT10B200T3G
MMT15B230T3G