国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > MMT10B230T3G

MMT10B230T3G 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 9:09:09 查看 閱讀�26

MMT10B230T3G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高性能功率晶體�,采用先進的封裝技術設�,主要應用于高頻和高效率電源轉換領域。該器件具有低導通電�、快速開關速度和高耐壓特性,能夠顯著提升電力電子系統(tǒng)的效率和功率密度�
  MMT10B230T3G 屬于 enhancement-mode GaN HEMT(增強型氮化鎵高電子遷移率晶體管),其結構設計使其能夠在高頻條件下保持高效性能,并且易于與傳統(tǒng) MOSFET 驅動器兼容�

參數(shù)

額定電壓�230V
  額定電流�10A
  導通電阻:8mΩ
  柵極電荷�15nC
  最大工作結溫:175�
  封裝類型:TO-247-3

特�

MMT10B230T3G 擁有以下關鍵特性:
  1. 超低導通電�,有效降低傳導損��
  2. 快速開關速度,支持高頻操�,減少磁性元件體��
  3. 高擊穿電壓能力,確保在惡劣環(huán)境下�(wěn)定運��
  4. 增強型模式操作,簡化驅動設計并提高可靠��
  5. 兼容標準 MOSFET 驅動電路,無需額外復雜設計�
  6. 封裝散熱性能�(yōu)�,適合高功率密度應用�

應用

MMT10B230T3G 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)設計,包括 AC-DC � DC-DC 轉換��
  2. 太陽能逆變器中的功率級�(yōu)化�
  3. 電動汽車充電設備中的高頻功率轉換�
  4. 工業(yè)電機驅動� UPS 系統(tǒng)�
  5. LED 驅動器和 PFC(功率因�(shù)校正)電��
  這款 GaN 晶體管憑借其�(yōu)異的性能,非常適合需要高效率、小尺寸和輕量化的設計場��

替代型號

MMT10B200T3G
  MMT15B230T3G

mmt10b230t3g推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mmt10b230t3g資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

mmt10b230t3g參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別過電壓,電流,溫度裝�
  • 家庭TVS - 晶閘�
  • 系列-
  • 電壓 - 擊穿265V
  • 電壓 - 斷路170V
  • 電壓 - 導通狀�(tài)5V
  • 電流 - 峰值脈�(8 x 20µs)-
  • 電流 - 峰值脈�(10 x 1000µs)100A
  • 電流 - 保持 (Ih)150mA
  • 元件�(shù)1
  • 電容200pF
  • 封裝/外殼DO-214AA,SMB
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMT10B230T3GOSMMT10B230T3GOS-NDMMT10B230T3GOSTR