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MMUN2116LT1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/3/29 11:06:04 查看 閱讀：713

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: 數(shù)字晶體管


目錄

概述

制造商：ON Semiconductor

產(chǎn)品種類：數(shù)字晶體管

配置：Single

晶體管極性：PNP

典型輸入電阻器：4.7 KOhm

封裝 / 箱體：SOT-23-3

直流電流增益 hFE 最小值：160 @ 5mA @ 10V

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：50 V

集電極連續(xù)電流：0.1 A

峰值直流集電極電流：100mA

功率耗散：246 mW

最大工作溫度：+ 150℃

封裝：Reel

最小工作溫度：- 55℃

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

資料

廠商
ON Semiconductor

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mmun2116lt1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
  • 系列-
  • 晶體管類型PNP - 預(yù)偏壓
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）50V
  • 電阻器 - 基極 (R1)（歐）4.7k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）-
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)160 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）250mV @ 1mA，10mA
  • 電流 - 集電極截止（最大）500nA
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換-
  • 功率 - 最大246mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-23-3（TO-236）
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMUN2116LT1G-NDMMUN2116LT1GOSTR