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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > MMUN2232LT1G

MMUN2232LT1G 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 9:12:18 查看 閱讀�31

MMUN2232LT1G 是一款高性能� N 漚道增強型功率場效應晶體管(MOSFET�,專為高效率開關應用而設計。該器件采用先進的制程技�,具有低導通電阻和快速開關特�,適合用� DC-DC 轉換�、電機驅動以及負載開關等應用�
  � MOSFET 的封裝形式為 LFPAK56D(PowerSO8 封裝�,具備出色的散熱性能和緊湊的外形尺寸,非常適合空間受限的應用場景�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�24A
  導通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
  柵極電荷�27nC(典型值)
  輸入電容�1450pF(典型值)
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

MMUN2232LT1G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電�,能夠顯著降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開關速度,減少開關損�,特別適合高頻應��
  3. 高雪崩耐量能力,增強了器件在異常條件下的可靠��
  4. 小巧� PowerSO8 封裝,節(jié)� PCB 空間的同時提供良好的散熱性能�
  5. 支持高達 175� 的結溫,確保在嚴苛環(huán)境下的穩(wěn)定運��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產品的合規(guī)性要��

應用

這款 MOSFET 廣泛應用于各種功率轉換和控制領域,包括但不限于:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC-DC 轉換器的主開關或�(xù)流二極管替代�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開關或保護電路�
  4. 電動工具和家用電器中的電機驅動電��
  5. 汽車電子中的各類功率管理模塊�
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率開關組��

替代型號

IRLB8748PBF, AO3400A

mmun2232lt1g推薦供應� 更多>

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mmun2232lt1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路﹐預偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN - 預偏�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�4.7k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�4.7k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)15 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 1mA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - 轉換-
  • 功率 - 最�246mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMUN2232LT1GOSMMUN2232LT1GOS-NDMMUN2232LT1GOSTR