MMUN2232LT1G 是一款高性能� N 漚道增強型功率場效應晶體管(MOSFET�,專為高效率開關應用而設計。該器件采用先進的制程技�,具有低導通電阻和快速開關特�,適合用� DC-DC 轉換�、電機驅動以及負載開關等應用�
� MOSFET 的封裝形式為 LFPAK56D(PowerSO8 封裝�,具備出色的散熱性能和緊湊的外形尺寸,非常適合空間受限的應用場景�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�24A
導通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
柵極電荷�27nC(典型值)
輸入電容�1450pF(典型值)
工作溫度范圍�-55� � +175�
MMUN2232LT1G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電�,能夠顯著降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開關速度,減少開關損�,特別適合高頻應��
3. 高雪崩耐量能力,增強了器件在異常條件下的可靠��
4. 小巧� PowerSO8 封裝,節(jié)� PCB 空間的同時提供良好的散熱性能�
5. 支持高達 175� 的結溫,確保在嚴苛環(huán)境下的穩(wěn)定運��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產品的合規(guī)性要��
這款 MOSFET 廣泛應用于各種功率轉換和控制領域,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器�
2. DC-DC 轉換器的主開關或�(xù)流二極管替代�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開關或保護電路�
4. 電動工具和家用電器中的電機驅動電��
5. 汽車電子中的各類功率管理模塊�
6. 工業(yè)自動化設備中的功率開關組��
IRLB8748PBF, AO3400A