MMUN2233LT1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�。該器件采用了先進的 GaN-on-SiC 技�(shù),具備高頻、高效和高溫性能,廣泛應用于射頻功率放大�、通信設備、雷達系�(tǒng)以及其他高性能射頻應用。其封裝形式為表面貼裝,適合自動化生�(chǎn)�
該芯片具有極低的寄生電容和快速開關能�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和帶寬,同時減小整體設計尺��
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�4A
輸出功率:大�35dBm
增益:大�10dB
頻率范圍:DC � 6GHz
柵極電荷�10nC
導通電阻:0.2Ω
封裝類型:SMD
MMUN2233LT1G 的主要特點是高效率和寬帶性能。得益于氮化鎵材料的�(yōu)異特�,這款晶體管能夠在高頻段提供穩(wěn)定的功率輸出,同時保持較低的熱耗散�
該器件支持線性及非線性操作模式,適用于多種復雜的�(diào)制信號環(huán)�。此�,它還具有優(yōu)秀的可靠性和抗輻射性能,使其成為航空航天和軍事領域中關鍵射頻組件的理想選擇�
GaN 技�(shù)帶來的優(yōu)勢包括更高的擊穿電壓、更低的導通電阻以及更快的開關速度,這些都讓 MMUN2233LT1G 在眾多射頻功率應用中表現(xiàn)出色�
MMUN2233LT1G 主要用于以下領域�
1. 射頻功率放大器設�,特別是在無線基礎設施和點對點無線電通信系統(tǒng)中�
2. 雷達�(fā)射機模塊中的功率放大��
3. 航空航天領域的衛(wèi)星通信設備�
4. 軍事通信系統(tǒng)中的高可靠性射頻組��
5. 測試與測量儀器中的高性能信號�(fā)生器�
MMPT2233LT1G, MMIN2233LT1G