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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > MMUN2233LT1G

MMUN2233LT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 10:37:54 查看 閱讀�23

MMUN2233LT1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�。該器件采用了先進的 GaN-on-SiC 技�(shù),具備高頻、高效和高溫性能,廣泛應用于射頻功率放大�、通信設備、雷達系�(tǒng)以及其他高性能射頻應用。其封裝形式為表面貼裝,適合自動化生�(chǎn)�
  該芯片具有極低的寄生電容和快速開關能�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和帶寬,同時減小整體設計尺��

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  連續(xù)漏極電流�4A
  輸出功率:大�35dBm
  增益:大�10dB
  頻率范圍:DC � 6GHz
  柵極電荷�10nC
  導通電阻:0.2Ω
  封裝類型:SMD

特�

MMUN2233LT1G 的主要特點是高效率和寬帶性能。得益于氮化鎵材料的�(yōu)異特�,這款晶體管能夠在高頻段提供穩(wěn)定的功率輸出,同時保持較低的熱耗散�
  該器件支持線性及非線性操作模式,適用于多種復雜的�(diào)制信號環(huán)�。此�,它還具有優(yōu)秀的可靠性和抗輻射性能,使其成為航空航天和軍事領域中關鍵射頻組件的理想選擇�
  GaN 技�(shù)帶來的優(yōu)勢包括更高的擊穿電壓、更低的導通電阻以及更快的開關速度,這些都讓 MMUN2233LT1G 在眾多射頻功率應用中表現(xiàn)出色�

應用

MMUN2233LT1G 主要用于以下領域�
  1. 射頻功率放大器設�,特別是在無線基礎設施和點對點無線電通信系統(tǒng)中�
  2. 雷達�(fā)射機模塊中的功率放大��
  3. 航空航天領域的衛(wèi)星通信設備�
  4. 軍事通信系統(tǒng)中的高可靠性射頻組��
  5. 測試與測量儀器中的高性能信號�(fā)生器�

替代型號

MMPT2233LT1G, MMIN2233LT1G

mmun2233lt1g推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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  • 封裝/批號
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mmun2233lt1g資料 更多>

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mmun2233lt1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路﹐預偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN - 預偏�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�4.7k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�47k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)80 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�-
  • 功率 - 最�246mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMUN2233LT1GOSTR