MN101EF31G 是一款由 Micron Technology(美光科技)生�(chǎn)� NAND 閃存芯片,主要應用于需要大容量�(shù)�(jù)存儲的場景。該芯片基于先進的制造工藝技�,具有高可靠�、低功耗和快速讀寫性能的特點,適合消費電子、工�(yè)設備及嵌入式系統(tǒng)等領域的存儲需求�
這款芯片采用標準� TSOP 封裝形式,具備良好的電氣和機械特�,便于集成到各種設計�。MN101EF31G 提供多種容量選擇,能夠滿足不同應用場景下的數(shù)�(jù)存儲需��
類型:NAND Flash
容量�1Gb (128MB)
接口� asynchronous
工作電壓�2.7V ~ 3.6V
封裝形式:TSOP-48
�(shù)�(jù)保留時間�10�
擦寫壽命�100,000 �
工作溫度范圍�-40°C ~ +85°C
引腳�(shù)�48
1. 高密度存儲能�,適用于小型化設計要求高的應用環(huán)��
2. 快速讀寫性能,確保數(shù)�(jù)傳輸效率�
3. 支持頁模式操作,�(yōu)化了隨機訪問速度�
4. �(nèi)� ECC(Error Correction Code)功�,提升了�(shù)�(jù)的可靠性和完整��
5. 工作電壓范圍�,適應多種電源條��
6. 耐用性強,能夠在惡劣�(huán)境下長期�(wěn)定運��
7. 支持塊擦除和字節(jié)編程功能,靈活性強�
1. 消費電子�(chǎn)�,如�(shù)碼相機、MP3 播放器和便攜式導航設��
2. 工業(yè)控制設備,包括數(shù)�(jù)記錄儀和監(jiān)控系�(tǒng)�
3. 嵌入式系�(tǒng),例� POS 終端和智能家居控制器�
4. �(wǎng)絡通信設備,如路由器和交換機中的固件存��
5. �(yī)療設備中的數(shù)�(jù)存儲模塊�
其大容量和高可靠性的特點使其成為眾多需要高性能存儲解決方案的理想選��
MN101EF32G, MN101EF30G, MT29F1G08ABAEAWP