MPM3506AGQV-Z 是一款基于硅技�(shù)的高頻功� MOSFET,采用先�(jìn)的溝槽式工藝制�。該器件專為高效率開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�。它廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)換器(POL�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)��
這款功率 MOSFET 以出色的熱性能和電氣性能著稱,能夠顯著降低系�(tǒng)功耗并提升整體效率。其小型封裝�(shè)�(jì)使得它非常適合空間受限的�(yīng)用場景�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�6.1A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
柵極電荷�8nC(典型值)
反向恢復(fù)�(shí)間:29ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:LFPAK33(PowerSO-8兼容�
MPM3506AGQV-Z 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗�
2. 快速的開關(guān)速度,支持高頻操�,減少磁性元件尺��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)器件的魯棒��
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�
5. 支持自動(dòng)化的表面貼裝生產(chǎn),提高制造效率�
6. 小型化封�,適用于緊湊型設(shè)�(jì)�
這些特性使� MPM3506AGQV-Z 成為需要高效能和高可靠性的�(yīng)用的理想選擇�
MPM3506AGQV-Z 可用于以下領(lǐng)域:
1. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降�、升壓及升降壓拓?fù)�?br> 2. �(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)換器(POL�,在服務(wù)�、通信�(shè)備中提供高效的電源管理�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,適用于消費(fèi)電子和工�(yè)自動(dòng)化中的小型電�(jī)控制�
4. 電池管理系統(tǒng),例如電�(dòng)汽車或便攜式�(shè)備中的電池保�(hù)與充電管��
5. LED �(qū)�(dòng)�,特別是在高亮度 LED 照明�(yīng)用中�(shí)�(xiàn)精確的電流調(diào)節(jié)�
6. 開關(guān)電源適配器和充電�,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品對(duì)高效電源的需��
MPM3506DGQV-Z, MPM3506BGQV-Z