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MRELB2A0804ZMEBB00 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 12:03:17 查看 閱讀�26

MRELB2A0804ZMEBB00 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用增強(qiáng)� GaN FET 技�(shù),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電及其它高頻率、高效率需求的場景�
  這款芯片由知名半�(dǎo)體廠商制造,采用了先�(jìn)的封裝工�,以確保在高電流和高電壓條件下保持穩(wěn)定性能。其�(dú)特的�(shè)�(jì)使其能夠在不犧牲效率的情況下�(shí)�(xiàn)更小的尺寸和更高的功率密度�

參數(shù)

類型:增�(qiáng)� GaN FET
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):80 mΩ
  額定電壓�650 V
  最大電流:20 A
  封裝形式:LLP 8x8
  柵極閾值電壓:1.5 V - 3 V
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  輸入電容�1350 pF
  輸出電容�30 pF
  反向恢復(fù)�(shí)間:無(由于 GaN 的特性)

特�

MRELB2A0804ZMEBB00 具有以下顯著特性:
  1. 高效的功率傳輸能�,適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,減少了傳導(dǎo)損�,提高了整體效率�
  3. 快速開�(guān)速度,降低開�(guān)損耗并支持更高頻率的操作�
  4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒��
  5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),使�(chǎn)品更容易集成到緊湊的空間��
  6. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在寬泛的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能�
  7. 支持零電壓開�(guān)(ZVS)拓?fù)浣Y(jié)�(gòu),�(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)的效率與可靠��
  由于采用了先�(jìn)� GaN 材料,該芯片相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 具有明顯的優(yōu)�,在高頻和高功率�(yīng)用中表現(xiàn)出色�

�(yīng)�

MRELB2A0804ZMEBB00 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),包括 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)及伺服系�(tǒng)�
  3. 電動(dòng)車充電樁和車載充電器�
  4. 高頻諧振變換器和 LLC 變換器�
  5. 太陽能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)�
  6. �(shù)�(jù)中心電源和電信設(shè)備電源�
  7. 無線充電器和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效電源解決方��
  其高效的功率�(zhuǎn)換能力和快速的開關(guān)速度使得它成為眾多現(xiàn)代電力電子應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

MRELB2A0804ZMEB00, MRELB2A0804ZMEBB10

mrelb2a0804zmebb00推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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