時(shí)間：2025/5/12 12:03:17
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MRELB2A0804ZMEBB00 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效率功率晶體管，專為高頻開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用增強(qiáng)型 GaN FET 技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度，適用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、無線充電及其它高頻率、高效率需求的場景。
這款芯片由知名半導(dǎo)體廠商制造，采用了先進(jìn)的封裝工藝，以確保在高電流和高電壓條件下保持穩(wěn)定性能。其獨(dú)特的設(shè)計(jì)使其能夠在不犧牲效率的情況下實(shí)現(xiàn)更小的尺寸和更高的功率密度。
類型：增強(qiáng)型 GaN FET
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：80 mΩ
額定電壓：650 V
最大電流：20 A
封裝形式：LLP 8x8
柵極閾值電壓：1.5 V - 3 V
工作溫度范圍：-55°C 到 +150°C
輸入電容：1350 pF
輸出電容：30 pF
反向恢復(fù)時(shí)間：無（由于 GaN 的特性）
MRELB2A0804ZMEBB00 具有以下顯著特性：
1. 高效的功率傳輸能力，適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
2. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），減少了傳導(dǎo)損耗，提高了整體效率。
3. 快速開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗并支持更高頻率的操作。
4. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，增強(qiáng)了器件的魯棒性。
5. 小型化的封裝設(shè)計(jì)，使產(chǎn)品更容易集成到緊湊的空間中。
6. 良好的熱穩(wěn)定性，能夠在寬泛的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定的性能。
7. 支持零電壓開關(guān)（ZVS）拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)的效率與可靠性。
由于采用了先進(jìn)的 GaN 材料，該芯片相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 具有明顯的優(yōu)勢，在高頻和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
MRELB2A0804ZMEBB00 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及伺服系統(tǒng)。
3. 電動(dòng)車充電樁和車載充電器。
4. 高頻諧振變換器和 LLC 變換器。
5. 太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)。
6. 數(shù)據(jù)中心電源和電信設(shè)備電源。
7. 無線充電器和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效電源解決方案。
其高效的功率轉(zhuǎn)換能力和快速的開關(guān)速度使得它成為眾多現(xiàn)代電力電子應(yīng)用的理想選擇。
MRELB2A0804ZMEB00, MRELB2A0804ZMEBB10
