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MRF6V2010NR1 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/29 9:05:52 查看 閱讀：35

MRF6V2010NR1 是一款高性能的 LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) 功率晶體管，主要用于射頻 (RF) 放大器應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有高效率、高增益和出色的線性度特點(diǎn)，廣泛適用于通信基站、廣播系統(tǒng)和其他需要高效功率放大的場(chǎng)合。
　　這款晶體管的工作頻率范圍較寬，能夠在高頻環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能輸出，同時(shí)具備良好的散熱設(shè)計(jì)，適合長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)工作。

參數(shù)

型號(hào)：MRF6V2010NR1
　　類型：LDMOS 功率晶體管
　　封裝形式：Flange 封裝
　　工作電壓：28 V
　　輸出功率：10 W（典型值）
　　頻率范圍：50 MHz 至 250 MHz
　　增益：17 dB（典型值）
　　效率：60%（典型值）
　　最大結(jié)溫：175°C
　　存儲(chǔ)溫度范圍：-55°C 至 +150°C
　　輸入匹配阻抗：50 Ω
　　輸出匹配阻抗：50 Ω

特性

MRF6V2010NR1 具有以下顯著特性：
　　1. 高效的功率輸出能力，確保在高負(fù)載下仍能提供穩(wěn)定性能。
　　2. 出色的線性度，能夠有效減少信號(hào)失真，提升整體通信質(zhì)量。
　　3. 寬帶操作能力，支持從 50 MHz 到 250 MHz 的頻率范圍，適應(yīng)多種應(yīng)用場(chǎng)景。
　　4. 內(nèi)置保護(hù)電路，防止因過(guò)熱或過(guò)高電壓導(dǎo)致?lián)p壞。
　　5. 良好的散熱設(shè)計(jì)，有助于提高器件的可靠性和壽命。
　　6. 易于集成到現(xiàn)有 RF 放大器設(shè)計(jì)中，簡(jiǎn)化開發(fā)流程。
　　這些特點(diǎn)使 MRF6V2010NR1 成為許多射頻放大器設(shè)計(jì)的理想選擇。

應(yīng)用

MRF6V2010NR1 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 無(wú)線通信基站，包括 GSM、CDMA 和 LTE 系統(tǒng)中的功率放大。
　　2. 廣播系統(tǒng)，如 FM 和 AM 廣播發(fā)射機(jī)。
　　3. 測(cè)試與測(cè)量設(shè)備，用于產(chǎn)生高功率射頻信號(hào)。
　　4. 工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療 (ISM) 領(lǐng)域的射頻能量應(yīng)用。
　　5. 軍事和航空電子系統(tǒng)的射頻功率放大。
　　由于其高效率和寬帶性能，該晶體管非常適合需要高功率輸出和低失真的場(chǎng)景。

替代型號(hào)

MRF6V2010NTR1, MRF6S2010NTR1

mrf6v2010nr1推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mrf6v2010nr1參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭RF FET
  • 系列-
  • 晶體管類型LDMOS
  • 頻率220MHz
  • 增益23.9dB
  • 電壓 - 測(cè)試50V
  • 額定電流2.5mA
  • 噪音數(shù)據(jù)-
  • 電流 - 測(cè)試30mA
  • 功率 - 輸出10W
  • 電壓 - 額定110V
  • 封裝/外殼TO-270AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-270-2
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MRF6V2010NR1-NDMRF6V2010NR1TR