MS18U836M-D低功耗的 CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�。該芯片采用先�(jìn)的工藝制�,具有高速存取和高可靠性的特點(diǎn),適用于需要快速數(shù)�(jù)讀寫的各種�(yīng)用場景。其封裝形式為符合行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型封�,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對空間節(jié)省的需��
容量�2Mb
位寬�8�/16位可�
工作電壓�1.7V � 1.9V
工作電流:典型� 20mA
待機(jī)電流:典型� 1μA
訪問�(shí)間:5ns
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:BGA-48
MS18U836M-DU05C 提供了卓越的性能和穩(wěn)定�,主要特性如下:
1. 超低功耗設(shè)�(jì),非常適合電池供電設(shè)��
2. 高速存取時(shí)間可�(dá) 5ns,確保在高頻�(yīng)用中的高效運(yùn)行�
3. 支持多種位寬配置,增�(qiáng)了靈活性以適配不同系統(tǒng)架構(gòu)�
4. 具備�(qiáng)大的抗干擾能�,能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定操��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
6. 寬工作電壓范�,允許靈活適�(yīng)不同的電源條��
7. 提供全面的保�(hù)�(jī)制,包括過壓保護(hù)和靜電放電(ESD)防�(hù)�
這款 SRAM 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)控制�(shè)�,如 PLC 和人�(jī)界面�
2. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)�,例如路由器和交換機(jī)緩存�
3. �(yī)療儀�,用于實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)采集與處理�
4. 汽車電子系統(tǒng),提供臨�(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)功能�
5. 嵌入式系�(tǒng)中作為高速緩沖存�(chǔ)器�
6. 測試測量�(shè)�,例如示波器和信�(hào)�(fā)生器�
MS18U836M-DU05B, MS18U836M-DU05A