MS621FE 是一款高性能、低功耗的 CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具備快速訪問時(shí)間和出色的可靠�,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、通信�(shè)備以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中。MS621FE 提供了高密度的存儲容�,同�(shí)保持較低的功�,適用于對速度和能耗都有嚴(yán)格要求的�(yīng)用場景�
該芯片的工作電壓范圍較寬,并且支持多種標(biāo)�(zhǔn)接口�(xié)�,能夠靈活地與各種微處理器或控制器�(jìn)行連接�
存儲容量�64K x 8 bits
工作電壓�2.7V � 3.6V
訪問�(shí)間:10ns 典型�
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:無限
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
I/O 引腳�(shù)�28
封裝形式:SOJ、TSSOP
MS621FE 的主要特性包括:
1. 高速讀寫能力,訪問�(shí)間僅� 10 納秒�
2. 極低的待�(jī)功�,確保長�(shí)間運(yùn)行時(shí)的系�(tǒng)效率�
3. 寬工作電壓范�,兼容多種電源設(shè)�(jì)需求�
4. 高可靠�,數(shù)�(jù)保持�(shí)間無限制�
5. 支持多路�(fù)用地址/�(shù)�(jù)總線�(jié)�(gòu),簡� PCB 布局�(shè)�(jì)�
6. 工業(yè)級溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保材料使��
MS621FE 芯片因其卓越的性能和靈活性,可廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動化控制中的緩存存��
2. 通信�(shè)備中的臨�(shí)�(shù)�(jù)存儲�
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的圖形處理緩沖�
4. �(yī)療儀器的�(shù)�(jù)記錄與管��
5. 嵌入式系�(tǒng)的程序運(yùn)行空間擴(kuò)��
6. 汽車電子模塊中的�(guān)鍵數(shù)�(jù)暫存功能�
IS61LV25616, CY62118EV30LL, AS6C6264