MS621R-II27E是一款高性能的CMOS低功耗靜�(tài)隨機存取存儲器(SRAM�。該芯片主要應用于需要高速數(shù)�(jù)讀寫和低功耗特性的場景,例如通信設備、工�(yè)控制、醫(yī)療儀器以及消費類電子產品。這款芯片采用先進的制造工�,確保了其在高溫、高濕等惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性�
MS621R-II27E具有較高的集成度,能夠提供較大的存儲容量,并支持快速的�(shù)�(jù)訪問速度。同�,它還具備掉電保護功能,在電源異常時可以有效保護�(shù)�(jù)的完整��
存儲容量�512K x 8 bits
工作電壓�2.7V � 3.6V
工作電流�20mA(典型值)
待機電流�1μA(最大值)
�(shù)�(jù)保持時間:無�
訪問時間�10ns(最大值)
封裝形式:TSSOP-32
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
抗震等級:符合MIL-STD-202G標準
MS621R-II27E采用了先進的CMOS技術,具備低功耗和高速度的特��
1. 高速性能:訪問時間僅�10ns,適用于對實時性要求較高的應用場景�
2. 超低功耗:待機電流低至1μA,非常適合電池供電設��
3. 寬工作電壓范圍:2.7V�3.6V的工作電壓范圍增強了其適應�,可以在多種電源�(huán)境下正常工作�
4. �(wěn)定性高:經(jīng)過嚴格測�,能夠在極端溫度條件下長期穩(wěn)定運��
5. 掉電保護:內置保護電�,在系統(tǒng)掉電時能夠自動保存數(shù)�(jù),避免數(shù)�(jù)丟失�
6. 小型化設計:采用TSSOP-32封裝,體積小�,適合空間受限的應用場合�
MS621R-II27E廣泛應用于各類需要高效數(shù)�(jù)存儲和處理的領域�
1. 工業(yè)自動化:用于�(shù)�(jù)采集、監(jiān)控系�(tǒng)中的緩存存儲�
2. 通信設備:適用于路由�、交換機等網(wǎng)絡設備中的臨時數(shù)�(jù)存儲�
3. �(yī)療設備:如監(jiān)護儀、超聲波設備中的高速緩存模��
4. 消費電子:數(shù)碼相�、打印機等產品中作為圖像或打印數(shù)�(jù)的緩沖區(qū)�
5. 汽車電子:在導航系統(tǒng)、娛樂系�(tǒng)中提供可靠的�(shù)�(jù)存儲解決方案�
6. 物聯(lián)�(wǎng)終端:為智能終端設備提供高效的存儲支持,滿足低功耗和高性能的需求�
MS621R-I27E, MS621R-III27E