MSASJ105SB5225KFNA01是一款高性能的射頻開�(guān)芯片,主要應(yīng)用于無線通信�(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的CMOS工藝制�,能夠支持高頻信�(hào)切換,并具有低插入損�、高隔離度和卓越的線性度等特性。其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代通信系統(tǒng)�(duì)小型�、高效能和高可靠性的需求�
該型�(hào)屬于多擲單刀(SPnT)開�(guān)系列,廣泛用于基�、無線基�(chǔ)�(shè)施以及射頻前端模塊中�
類型:射頻開�(guān)
封裝:QFN
工作頻率范圍:DC�6 GHz
插入損耗:0.6 dB(典型值)
隔離度:35 dB(最小值)
VSWR�1.4:1
供電電壓�2.7 V�5.5 V
靜態(tài)電流�2 mA(最大值)
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝尺寸�2.5 mm x 2.5 mm
MSASJ105SB5225KFNA01具備以下突出特點(diǎn)�
1. 支持寬廣的頻率范圍,適用于多種射頻應(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低的插入損耗確保了信號(hào)傳輸效率�
3. 高隔離性能減少信道間干�,提升系�(tǒng)�(wěn)定性�
4. 良好的線性度使得其在大功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
5. 小型化的封裝�(shè)�(jì)節(jié)省PCB空間,利于便攜式�(shè)備集��
6. 低功耗設(shè)�(jì)延長(zhǎng)電池壽命,適合移�(dòng)�(shè)備使��
7. 提供�(yōu)異的ESD保護(hù),增�(qiáng)芯片的可靠性�
該芯片適用于以下�(lǐng)域:
1. 無線通信基站及網(wǎng)�(luò)�(shè)��
2. LTE/5G射頻前端�
4. 汽車?yán)走_(dá)和V2X通信系統(tǒng)�
5. 工業(yè)物聯(lián)�(wǎng)(IIoT)設(shè)��
6. �(yī)療電子中的遠(yuǎn)程監(jiān)�(cè)裝置�
7. 其他需要高性能射頻信號(hào)切換的應(yīng)用場(chǎng)��
MSASJ105SB5225KFNAX01
MSASJ105SB5225KFNAZ01
MSASJ105SB5225KFNAE01