MSAST21GAB5475KTNA01 是一款由 Micron(美光)生產(chǎn)� DRAM 存儲(chǔ)芯片,屬� DDR4 SDRAM �(lèi)�。該型號(hào)主要用于服務(wù)�、工作站和高性能�(jì)算設(shè)備中,提供高帶寬和低延遲的數(shù)�(jù)傳輸能力�
這款芯片基于先�(jìn)的制造工�,能夠在高頻下穩(wěn)定運(yùn)�,并支持 ECC(糾�(cuò)碼)功能以提高數(shù)�(jù)可靠性�
�(lèi)型:DDR4 SDRAM
容量�32 Gb (4GB x 8)
組織�(jié)�(gòu)�8 Bank Groups
引腳�(shù)�78 BGA
工作電壓�1.2V
頻率�2666 MT/s
封裝形式:FBGA
I/O�(biāo)�(zhǔn):DDR4
ECC支持:Yes
MSAST21GAB5475KTNA01 提供了以下關(guān)鍵特性:
1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:工作頻率為 2666 MT/s,確保了極高的數(shù)�(jù)吞吐量�
2. ECC 糾錯(cuò)功能:內(nèi)� ECC 支持,可以檢�(cè)并修正單比特�(cuò)誤,從而提升系�(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��
3. 低功耗設(shè)�(jì):采� 1.2V 的標(biāo)�(zhǔn)工作電壓,有助于降低整體能��
4. � Bank Group 架構(gòu)�8 Bank Groups 的設(shè)�(jì)提高了并�(fā)操作的效�,適合多任務(wù)處理�(chǎng)景�
5. 高密度存�(chǔ)�?jiǎn)晤w芯片即可�(shí)�(xiàn)大容量存�(chǔ),減少了 PCB 上的空間占用�
6. 工業(yè)�(jí)溫度范圍:能夠在 -40°C � +125°C 的環(huán)境下正常工作,適用于�(yán)苛的工作�(huán)境�
MSAST21GAB5475KTNA01 主要�(yīng)用于需要高帶寬和高可靠性的�(chǎng)�,包括:
1. 企業(yè)�(jí)服務(wù)器:用于�(shù)�(jù)中心和云�(jì)算平�(tái)中的服務(wù)器內(nèi)存擴(kuò)展�
2. 工作站:為圖形處�、視頻編輯和其他高性能需求的�(yīng)用提供快速內(nèi)存支��
3. 高性能�(jì)� (HPC):在科學(xué)研究、仿真分析等需要大量數(shù)�(jù)處理的任�(wù)中發(fā)揮重要作��
4. �(wǎng)�(luò)�(shè)備:如路由器和交換機(jī)等需要高速數(shù)�(jù)交互的網(wǎng)�(luò)硬件中�
5. 嵌入式系�(tǒng):在一些對(duì)�(shù)�(jù)可靠性要求較高的工業(yè)控制或醫(yī)療設(shè)備中使用�
MTA9ASF32G72PZ, MTA9ASF32G72AZ, MTA9ASF32G72PZA