MSASU168BB5225KTNA01是一款高性能的功率MOSFET器件,基于先進的半導體制造工藝設計。該器件主要應用于開關電�、DC-DC轉換�、電機驅動和負載開關等領�,能夠提供高效的功率轉換和出色的熱性能�
該型號采用TO-263-3封裝形式,具有較低的導通電阻和較高的電流承載能力,能夠在高頻開關條件下保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓:55V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�28A
導通電阻(典型值)�1.6mΩ
柵極電荷(典型值)�74nC
開關速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-263-3
MSASU168BB5225KTNA01具備低導通電阻和高電流處理能�,從而有效降低傳導損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
其快速開關速度可以減少開關損�,非常適合高頻應用環(huán)境�
同時,該器件擁有強大的熱性能,能夠承受較高結�,確保在極端條件下的可靠性�
此外,其封裝設計�(yōu)化了散熱路徑,進一步增強了器件的耐用性和�(wěn)定��
該芯片廣泛應用于消費電子、工�(yè)設備及汽車電子領��
常見的應用包括但不限于:筆記本電腦適配器、電視電源模塊、LED驅動電路、電信設備中的DC-DC轉換器以及電動車窗系�(tǒng)的電機驅動控��
由于其出色的電氣性能和熱管理能力,也適用于需要高效功率轉換和緊湊設計的場��
MSASU168BB5220KTNA01
IRFZ44N
FDP5500
AON6810