MT15N5R6C500CT是一款高性能的MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度以及出色的熱性能。
這種MOSFET廣泛應(yīng)用于電源管理領(lǐng)域,例如開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。
型號(hào):MT15N5R6C500CT
封裝形式:TO-247
Vds(漏源極電壓):50V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V時(shí))
Id(持續(xù)漏電流):150A
Qg(柵極電荷):68nC
fsw(最大開(kāi)關(guān)頻率):500kHz
Ptot(總功耗):230W
結(jié)溫范圍:-55℃至+175℃
MT15N5R6C500CT采用了新一代超低導(dǎo)通電阻技術(shù),使得其在高壓下的損耗顯著降低,同時(shí)保持了較低的柵極電荷,從而優(yōu)化了動(dòng)態(tài)性能。此外,該器件具備較高的雪崩擊穿能力,增強(qiáng)了其在異常情況下的魯棒性。
其封裝形式為T(mén)O-247,具備良好的散熱性能,適合大功率應(yīng)用環(huán)境。由于其低Rds(on)設(shè)計(jì),在高頻開(kāi)關(guān)條件下能夠提供更高的效率,降低了系統(tǒng)的整體能耗。
該MOSFET還支持較寬的工作溫度范圍,能夠在極端環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
MT15N5R6C500CT適用于多種工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的應(yīng)用:
- 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)
- 逆變器及變頻器
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
- DC-DC轉(zhuǎn)換器
- 太陽(yáng)能微逆變器
- 工業(yè)電源模塊
- 高效功率管理電路
憑借其卓越的性能,該器件成為這些應(yīng)用中的理想選擇。
MT15N5R6C300CT, IRFP260N, STP150N06LL