型號(hào)：MT15N5R6C500CT
　　封裝形式：TO-247
　　Vds（漏源極電壓）：50V
　　Rds(on)（導(dǎo)通電阻）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V時(shí)）
　　Id（持續(xù)漏電流）：150A
　　Qg（柵極電荷）：68nC
　　fsw（最大開(kāi)關(guān)頻率）：500kHz
　　Ptot（總功耗）：230W
　　結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃

MT15N5R6C500CT采用了新一代超低導(dǎo)通電阻技術(shù)，使得其在高壓下的損耗顯著降低，同時(shí)保持了較低的柵極電荷，從而優(yōu)化了動(dòng)態(tài)性能。此外，該器件具備較高的雪崩擊穿能力，增強(qiáng)了其在異常情況下的魯棒性。
　　其封裝形式為T(mén)O-247，具備良好的散熱性能，適合大功率應(yīng)用環(huán)境。由于其低Rds(on)設(shè)計(jì)，在高頻開(kāi)關(guān)條件下能夠提供更高的效率，降低了系統(tǒng)的整體能耗。
　　該MOSFET還支持較寬的工作溫度范圍，能夠在極端環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。

MT15N5R6C500CT適用于多種工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的應(yīng)用：
　　- 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）
　　- 逆變器及變頻器
　　- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
　　- DC-DC轉(zhuǎn)換器
　　- 太陽(yáng)能微逆變器
　　- 工業(yè)電源模塊
　　- 高效功率管理電路
　　憑借其卓越的性能，該器件成為這些應(yīng)用中的理想選擇。

MT15N5R6C300CT, IRFP260N, STP150N06LL