MT18B103M101CT 是一款由 Micron Technology(美光科技)生�(chǎn)� DDR3 SDRAM �(nèi)存芯�。該芯片屬于 DDR3L 系列,采用低電壓設計�1.35V�,主要用于筆記本電腦、嵌入式系統(tǒng)和移動設備等對功耗敏感的應用場景�
DDR3 技術通過提高�(shù)�(jù)傳輸速率和降低功耗來滿足�(xiàn)代計算需�。MT18B103M101CT 提供了高密度存儲容量和快速的�(shù)�(jù)訪問速度,其�(nèi)部結構基于先進的制程工藝,從而優(yōu)化了性能與能耗的平衡�
類型:DDR3L SDRAM
容量�4Gb (512MBx8)
組織方式�512M x 8
電壓�1.35V
�(shù)�(jù)速率�1600Mbps
封裝形式:FBGA 78-ball
工作溫度�-40°C � +85°C
I/O 標準�1.35V VTT
時鐘周期:tCK=1.25ns
MT18B103M101CT 的主要特性包括高速數(shù)�(jù)傳輸能力、低功耗設計以及強大的�(wěn)定��
1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支持高� 1600Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,能夠顯著提升系�(tǒng)的整體性能�
2. 低功耗:運行� 1.35V 電壓�,相比傳�(tǒng)� DDR3 芯片進一步降低了功�,非常適合電池供電設��
3. 小型化封裝:采用 FBGA 78 球封裝,具有更小的尺寸和更高的引腳密度,適合緊湊型設��
4. 寬溫范圍:能夠在 -40°C � +85°C 的環(huán)境下正常工作,確保了在各種環(huán)境下的可靠��
5. 兼容性強:符� JEDEC DDR3L 標準,易于集成到�(xiàn)有平臺中�
MT18B103M101CT 廣泛應用于需要高性能�(nèi)存和低功耗的場景,包括:
1. 筆記本電腦和超極��
2. 嵌入式系�(tǒng),例如工�(yè)控制設備和醫(yī)療設��
3. 智能手機和平板電腦等移動終端�
4. �(wǎng)絡通信設備,如路由器和交換��
5. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設備,特別是那些需要大容量�(nèi)存但受限于功率預算的�(chǎn)��
MT18B1G8M8HB-1G IT, MT18B1G8M8HB-1G CT