MT18B103M500CT 是一款由 Micron Technology 生產(chǎn)的 DDR3L SDRAM 芯片,采用先進(jìn)的工藝技術(shù)制造。該芯片支持低功耗操作,非常適合對功耗要求嚴(yán)格的移動設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)。其高密度存儲能力和快速的數(shù)據(jù)傳輸速率使得它成為許多高性能計算應(yīng)用的理想選擇。
DDR3L(Low Voltage)是 DDR3 的一種低電壓版本,工作電壓為 1.35V,相較于標(biāo)準(zhǔn)的 1.5V DDR3,能夠顯著降低功耗。
容量:4Gb
數(shù)據(jù)寬度:x8/x16
核心電壓:1.35V
I/O 電壓:1.35V
速度等級:1600Mbps
封裝類型:FBGA
引腳數(shù):96
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
數(shù)據(jù)總線寬度:可根據(jù)配置選擇不同的位寬
命令地址線:14 條
MT18B103M500CT 提供了出色的性能與功耗平衡。以下是其主要特性:
1. 支持高達(dá) 1600Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率,確保高效的數(shù)據(jù)處理能力。
2. 使用 DDR3L 技術(shù),降低系統(tǒng)整體功耗,特別適合電池供電的應(yīng)用場景。
3. 高密度設(shè)計,單芯片提供 4Gb 存儲容量。
4. 支持多種數(shù)據(jù)寬度配置(x8 和 x16),以適應(yīng)不同系統(tǒng)架構(gòu)的需求。
5. 具備強(qiáng)大的糾錯功能,提高數(shù)據(jù)可靠性。
6. 符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,易于與其他兼容組件集成。
7. 工作溫度范圍廣,能夠在工業(yè)級環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行。
8. 封裝緊湊,便于在空間受限的設(shè)備中使用。
這款芯片廣泛應(yīng)用于需要大容量內(nèi)存和低功耗的場景,例如:
1. 智能手機(jī)和平板電腦等移動設(shè)備。
2. 筆記本電腦和其他便攜式計算設(shè)備。
3. 嵌入式系統(tǒng),如網(wǎng)絡(luò)路由器、交換機(jī)和工業(yè)控制設(shè)備。
4. 數(shù)字電視、機(jī)頂盒及其他消費(fèi)電子產(chǎn)品。
5. 物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備,用于數(shù)據(jù)緩存和臨時存儲。
6. 醫(yī)療設(shè)備和汽車電子系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)記錄與處理。
由于其低功耗特性和較高的存儲密度,MT18B103M500CT 在這些領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢。
MT18B1G8M800T, MT18B1G8M400T