MT18N1R0C500CT 是一款由 Micron(美光科技)生產(chǎn)的 DDR3L 內(nèi)存顆粒芯片,屬于 1Gb (128Mx8) 的低電壓 DRAM 芯片。該芯片支持 1.35V 的工作電壓,具有低功耗和高性能的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、超極本以及嵌入式系統(tǒng)等需要高效能與低功耗的設(shè)備中。
DDR3L 是 DDR3 的改進(jìn)版本,主要區(qū)別在于其更低的工作電壓(1.35V 對(duì)比標(biāo)準(zhǔn) DDR3 的 1.5V),這使其成為移動(dòng)設(shè)備的理想選擇。
容量:1Gb (128Mx8)
接口類型:DDR3L
工作電壓:1.35V
數(shù)據(jù)速率:800MT/s, 1066MT/s, 1333MT/s, 1600MT/s
封裝形式:BGA 78-ball
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
引腳間距:1.0mm
MT18N1R0C500CT 是基于先進(jìn)的制程工藝制造,具備高密度存儲(chǔ)能力的同時(shí)還優(yōu)化了能耗表現(xiàn)。
1. 低電壓設(shè)計(jì):相比傳統(tǒng) DDR3,DDR3L 的工作電壓降低至 1.35V,有效減少了功耗。
2. 高性能:支持高達(dá) 1600MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率,滿足現(xiàn)代計(jì)算需求。
3. 可靠性:該芯片經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試,確保在各種環(huán)境條件下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 小型化封裝:采用 BGA 78 球封裝,適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
5. 廣泛兼容性:適用于多種平臺(tái)和架構(gòu),支持 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)。
MT18N1R0C500CT 主要應(yīng)用于對(duì)性能和功耗有較高要求的場(chǎng)合,具體包括:
1. 筆記本電腦和超極本:
- 提供快速的數(shù)據(jù)訪問(wèn)能力,增強(qiáng)用戶體驗(yàn)。
2. 嵌入式系統(tǒng):
- 在工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域中,作為主存儲(chǔ)器的一部分。
3. 移動(dòng)終端:
- 支持智能手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的圖形處理和其他密集型任務(wù)。
4. 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備:
- 為智能家電、監(jiān)控?cái)z像頭等提供必要的內(nèi)存支持。
MT18KSF1G72PZ, MT18LC1G72PZ