MT21B104K500CT 是一款由 Micron(美光)生產(chǎn)� DDR3L SDRAM 芯片。該芯片屬于低功耗系�,主要應(yīng)用于�(duì)功耗要求嚴(yán)格的�(chǎng)景,如移�(dòng)�(shè)�、嵌入式系統(tǒng)和便攜式電子�(shè)��
DDR3L(Low Voltage)內(nèi)存的工作電壓� 1.35V,相比標(biāo)�(zhǔn)� DDR3 �(nèi)存(1.5V),能夠有效降低功耗并延長(zhǎng)電池壽命。此�,這款芯片具有高帶寬和低延遲的特性,適合需要高性能�(nèi)存的�(yīng)用環(huán)��
容量�4Gb
組織�(jié)�(gòu)�512M x 8
工作電壓�1.35V
�(shù)�(jù)速率�800/1066/1333/1600 MT/s
封裝形式:FBGA 78-ball
I/O �(biāo)�(zhǔn):LVDS
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
引腳間距�1.0mm
MT21B104K500CT 的主要特性包括:
1. 高性能:支持高�(dá) 1600 MT/s 的數(shù)�(jù)傳輸速率,適用于需要快速數(shù)�(jù)處理的應(yīng)��
2. 低功耗:采用 1.35V 工作電壓,顯著降低了功�,非常適合移�(dòng)�(shè)��
3. 小型化設(shè)�(jì):使� FBGA 封裝,尺寸緊湊,有助于節(jié)� PCB 空間�
4. 寬溫范圍:能夠在 -40°C � +85°C 的環(huán)境下�(wěn)定工�,適�(yīng)多種�(yīng)用場(chǎng)景�
5. 可靠性:Micron 提供了嚴(yán)格的�(zhì)量控制流�,確保芯片在各種條件下的可靠性�
這款芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)�(shè)��
2. 嵌入式系�(tǒng),如工業(yè)控制�、醫(yī)療設(shè)備和�(wǎng)�(luò)�(shè)備�
3. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)�,用于數(shù)�(jù)采集和處理�
4. 便攜式消�(fèi)電子�(chǎn)�,如�(shù)碼相�(jī)和可穿戴�(shè)��
其低功耗特性和高帶寬使其成為需要高性能和長(zhǎng)�(xù)航時(shí)間設(shè)備的理想選擇�
MT21B104K500D, MT21B104K500DT