時(shí)間：2025/5/10 15:11:34
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MT29E1T08CUCCBH8-6:C 是一款由 Micron（美光）生產(chǎn)的 NAND 閃存芯片，采用 3D TLC 架構(gòu)設(shè)計(jì)，具有高密度存儲(chǔ)能力和較低的功耗。該芯片主要應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、工業(yè)控制設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中，提供大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。
此型號屬于美光 MT29E 系列，支持 ONFi（Open NAND Flash Interface）標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議，具備較高的讀寫速度和可靠性。
容量：1Tb (128GB)
存儲(chǔ)單元類型：TLC (Triple-Level Cell)
接口：ONFi 4.0
電壓：2.7V 至 3.6V
工作溫度：-40°C 至 +85°C
封裝形式：BGA (球柵陣列封裝)
引腳數(shù)：169
頁大小：16KB
塊大�。�8MB
擦除周期：3000 次
MT29E1T08CUCCBH8-6:C 芯片采用了先進(jìn)的 3D NAND 技術(shù)，相比傳統(tǒng)平面 NAND 具有更高的存儲(chǔ)密度和更好的性能表現(xiàn)。
其支持的 ONFi 協(xié)議確保了與主機(jī)控制器之間的高效通信，并且具備 ECC（錯(cuò)誤校正碼）功能，能夠有效提升數(shù)據(jù)的可靠性和使用壽命。
此外，這款芯片在功耗管理方面表現(xiàn)出色，能夠在低功耗模式下運(yùn)行以延長電池供電設(shè)備的工作時(shí)間。
它還集成了多種保護(hù)機(jī)制，如壞塊管理、磨損均衡以及掉電保護(hù)等，從而保證長時(shí)間使用的穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)完整性。
該芯片適用于各種需要大容量非易失性存儲(chǔ)的應(yīng)用場景，包括但不限于：
1. 嵌入式設(shè)備：如路由器、交換機(jī)、工控機(jī)等；
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品：例如平板電腦、智能電視、數(shù)碼相機(jī)等；
3. 數(shù)據(jù)記錄儀和監(jiān)控系統(tǒng)：用于保存關(guān)鍵數(shù)據(jù)或視頻流；
4. 固態(tài)硬盤（SSD）：作為主存儲(chǔ)介質(zhì)的一部分；
5. 汽車電子：為導(dǎo)航系統(tǒng)和信息娛樂系統(tǒng)提供存儲(chǔ)支持。
MT29F1T08CBADBH6-6:C, MX30UF1TADBBH8-6C
