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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 8:58:57 查看 閱讀�21

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F 是一款由 Micron(鎂光)生產(chǎn)� NAND 閃存芯片,采用多層單� (MLC) 技�(shù)。該器件支持高速數(shù)�(jù)傳輸,廣泛應(yīng)用于固態(tài)硬盤(pán) (SSD)、嵌入式存儲(chǔ)�(shè)備和工業(yè)控制等領(lǐng)��
  這款芯片具有高可靠�、低功耗以及大容量的特�(diǎn),能夠滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高性能存儲(chǔ)的需��

參數(shù)

存儲(chǔ)容量�512GB
  接口�(lèi)型:Toggle Mode 2.0
  工作電壓�1.8V
  �(shù)�(jù)傳輸速率:最高可�(dá)400MT/s
  封裝形式:BGA
  I/O引腳�(shù)�84
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  擦寫(xiě)壽命�3000次(典型值)

特�

MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F 具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 大容量存�(chǔ)�?jiǎn)晤w芯片提供高達(dá)512GB的存�(chǔ)空間,適合需要高密度存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)��
  2. 高速接口:采用 Toggle Mode 2.0 接口�(xié)議,確保了更快的�(shù)�(jù)讀�(xiě)速度�
  3. 低功耗設(shè)�(jì):在待機(jī)和活�(dòng)模式下均表現(xiàn)出較低的功耗水平,延長(zhǎng)電池供電�(shè)備的�(xù)航時(shí)��
  4. �(wěn)定性與耐用性:�(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)試,具備良好的抗干擾能力和長(zhǎng)壽命的擦�(xiě)周期�
  5. 廣泛的工作溫度范圍:能夠在極端環(huán)境下可靠�(yùn)�,適用于工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(chǎn)品�

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 固態(tài)硬盤(pán) (SSD)�
   提供快速存�(chǔ)解決方案,用于臺(tái)式電腦、筆記本電腦��
  2. 嵌入式系�(tǒng)�
   包括路由器、網(wǎng)�(luò)交換�(jī)、智能家居控制器��
  3. 工業(yè)控制�
   在工廠自�(dòng)化、醫(yī)療設(shè)備和�(jiān)控系�(tǒng)中實(shí)�(xiàn)高效的數(shù)�(jù)記錄功能�
  4. 消費(fèi)電子�(chǎn)品:
   例如平板電腦、智能電視和其他多媒體設(shè)備�

替代型號(hào)

MT29F4G08ABAEAWP-12E, MT29RZ4B2DZSHTTWD-18I.84F

mt29rz4b2dzzhhwd-18i.84f推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

mt29rz4b2dzzhhwd-18i.84f參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝托盤(pán)
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 存儲(chǔ)器類(lèi)�非易失�,易失�
  • 存儲(chǔ)器格�FLASH,RAM
  • 技�(shù)FLASH - NAND,DRAM - LPDDR2
  • 存儲(chǔ)容量4Gb(NAND��2Gb(LPDDR2�
  • 存儲(chǔ)器組�128M x 32(NAND),64M x 32(LPDDR2�
  • 存儲(chǔ)器接�并聯(lián)
  • �(shí)鐘頻�533 MHz
  • �(xiě)周期�(shí)� - �,頁(yè)-
  • 訪問(wèn)�(shí)�-
  • 電壓 - 供電1.8V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C(TA�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 封裝/外殼162-VFBGA
  • 供應(yīng)商器件封�162-VFBGA�10.5x8�