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MT40A1G16TB-062E:F 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 21:47:36 查看 閱讀�13

MT40A1G16TB-062E:F 是一款由 Micron(美光)生產(chǎn)� DDR4 �(nèi)存顆粒芯�,主要用于構(gòu)建臺(tái)式機(jī)、筆記本電腦和服�(wù)器的�(nèi)存模�。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝制�,支持高頻率和低功耗操�,適用于高性能�(jì)算和�(shù)�(jù)密集型應(yīng)用�
  DDR4 技�(shù)相較于前� DDR3,在速度、能效和�(wěn)定性上都有顯著提升,使其成為現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的理想選��

參數(shù)

容量�1Gb (128Mb x 8)
  封裝類型:FBGA
  引腳�(shù)�78-Ball
  I/O 電壓�1.2V
  核心電壓�1.2V
  �(shù)�(jù)速率�2666Mbps
  tCL(CAS延遲):16, 18, 19
  工作溫度�0°C ~ 85°C
  存儲(chǔ)溫度�-40°C ~ 100°C

特�

MT40A1G16TB-062E:F 具備以下特點(diǎn)�
  1. 支持 DDR4 �(biāo)�(zhǔn),提供更高的帶寬和更低的功��
  2. 采用 FBGA 封裝,具備優(yōu)良的電氣性能和可靠性�
  3. 擁有 2666 Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,滿足高性能�(jì)算需求�
  4. 集成了自�(dòng)刷新和熱傳感器功�,有助于提高系統(tǒng)�(wěn)定性和散熱管理�
  5. 符合 JEDEC �(biāo)�(zhǔn),兼容性廣�,適合多種內(nèi)存模塊設(shè)�(jì)�
  6. 提供多種 CAS 延遲選項(xiàng),允許用戶根�(jù)具體需求�(jìn)行優(yōu)化配置�
  7. 工作電壓� 1.2V,相� DDR3 � 1.5V 顯著降低了功��

�(yīng)�

這款�(nèi)存顆粒芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(tái)式機(jī)和筆記本電腦的內(nèi)存條生產(chǎn)�
  2. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器的高密度內(nèi)存模��
  3. 工業(yè)級計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)中的存儲(chǔ)�(kuò)展�
  4. 游戲�(shè)備和其他高性能�(jì)算平�(tái)�
  5. �(wǎng)�(luò)�(shè)備和通信基礎(chǔ)�(shè)施中的數(shù)�(jù)緩沖�
  其高速度和低功耗的特性使其成為需要高效數(shù)�(jù)處理和大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

MT40A1G16TB-043E:F, MT40A1G16TB-083E:F

mt40a1g16tb-062e:f推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mt40a1g16tb-062e:f參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �135.78000散裝
  • 系列-
  • 包裝散裝
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 存儲(chǔ)器類�易失
  • 存儲(chǔ)器格�DRAM
  • 技�(shù)SDRAM - DDR4
  • 存儲(chǔ)容量16Gb
  • 存儲(chǔ)器組�1G x 16
  • 存儲(chǔ)器接�并聯(lián)
  • �(shí)鐘頻�1.5 GHz
  • 寫周期時(shí)� - 字,�15ns
  • 訪問�(shí)�19 ns
  • 電壓 - 供電1.14V ~ 1.26V
  • 工作溫度0°C ~ 95°C(TC�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼96-TFBGA
  • 供應(yīng)商器件封�96-FBGA�7.5x13�