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時(shí)間：2025/5/13 14:28:19
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MT41J128M16HA-125:D 是一款由 Micron（美光）生產(chǎn)的 DDR3L SDRAM 內(nèi)存芯片。DDR3L 表示其工作電壓為 1.35V，比標(biāo)準(zhǔn) DDR3 的 1.5V 更低，有助于降低功耗，適合用于移動(dòng)設(shè)備和對(duì)能效要求較高的應(yīng)用。該芯片采用 FBGA 封裝形式，容量為 128Mb x 16（即 256MB），并支持高達(dá) 1600Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率。
MT41J128M16HA-125:D 具有高帶寬、低延遲的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和其他便攜式電子設(shè)備中。
類型：DDR3L SDRAM
容量：128Mb x 16 (256MB)
速度：1600Mbps (PC3-12800)
工作電壓：1.35V
封裝：FBGA 100-ball
組織結(jié)構(gòu)：x16
CAS Latency：11
溫度范圍：商用級(jí) (0°C to 95°C)
I/O 電壓：1.35V
刷新模式：自動(dòng)刷新
這款芯片的主要特點(diǎn)是低功耗設(shè)計(jì)，適用于對(duì)電池續(xù)航能力要求較高的設(shè)備。
1. 工作電壓為 1.35V，比標(biāo)準(zhǔn) DDR3 的 1.5V 更低，從而顯著降低能耗。
2. 支持 1600Mbps 數(shù)據(jù)傳輸速率，提供更高的性能和效率。
3. 使用 FBGA 100 球封裝，這種封裝形式緊湊且適合高密度板設(shè)計(jì)。
4. 提供穩(wěn)定的內(nèi)存性能，確保設(shè)備運(yùn)行流暢。
5. 通過優(yōu)化的 CAS Latency 和預(yù)充電時(shí)間，實(shí)現(xiàn)快速的數(shù)據(jù)訪問和處理。
6. 集成了自動(dòng)刷新功能，進(jìn)一步簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并提高了可靠性。
7. 兼容多種主流平臺(tái)，易于集成到各種嵌入式和移動(dòng)系統(tǒng)中。
MT41J128M16HA-125:D 主要應(yīng)用于需要高性能和低功耗內(nèi)存的場(chǎng)景：
1. 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備中的主內(nèi)存。
2. 嵌入式系統(tǒng)，例如工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)終端。
3. 車載信息娛樂系統(tǒng)和高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）。
4. 數(shù)字電視、機(jī)頂盒以及其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品。
5. 可穿戴設(shè)備和其他便攜式電子裝置。
由于其低功耗特性和高數(shù)據(jù)傳輸速率，該芯片非常適合用于需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行且對(duì)能耗敏感的應(yīng)用環(huán)境。
MT41J128M16HA-107:E, MT41J128M16HA-15E
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