MT41J128M16HA-125:D 是一款由 Micron(美光)生產(chǎn)� DDR3L SDRAM �(nèi)存芯�。DDR3L 表示其工作電壓為 1.35V,比�(biāo)�(zhǔn) DDR3 � 1.5V 更低,有助于降低功�,適合用于移�(dòng)�(shè)備和�(duì)能效要求較高的應(yīng)用。該芯片采用 FBGA 封裝形式,容量為 128Mb x 16(即 256MB�,并支持高達(dá) 1600Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率�
MT41J128M16HA-125:D 具有高帶�、低延遲的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和其他便攜式電子設(shè)備中�
類型:DDR3L SDRAM
容量�128Mb x 16 (256MB)
速度�1600Mbps (PC3-12800)
工作電壓�1.35V
封裝:FBGA 100-ball
組織�(jié)�(gòu):x16
CAS Latency�11
溫度范圍:商用級(jí) (0°C to 95°C)
I/O 電壓�1.35V
刷新模式:自�(dòng)刷新
這款芯片的主要特�(diǎn)是低功耗設(shè)�(jì),適用于�(duì)電池�(xù)航能力要求較高的�(shè)備�
1. 工作電壓� 1.35V,比�(biāo)�(zhǔn) DDR3 � 1.5V 更低,從而顯著降低能��
2. 支持 1600Mbps �(shù)�(jù)傳輸速率,提供更高的性能和效��
3. 使用 FBGA 100 球封裝,這種封裝形式緊湊且適合高密度板設(shè)�(jì)�
4. 提供�(wěn)定的�(nèi)存性能,確保設(shè)備運(yùn)行流暀�
5. 通過�(yōu)化的 CAS Latency 和預(yù)充電�(shí)�,實(shí)�(xiàn)快速的�(shù)�(jù)訪問和處��
6. 集成了自�(dòng)刷新功能,�(jìn)一步簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)并提高了可靠��
7. 兼容多種主流平臺(tái),易于集成到各種嵌入式和移動(dòng)系統(tǒng)��
MT41J128M16HA-125:D 主要�(yīng)用于需要高性能和低功耗內(nèi)存的�(chǎng)景:
1. 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)�(shè)備中的主�(nèi)��
2. 嵌入式系�(tǒng),例如工�(yè)控制、網(wǎng)�(luò)�(shè)備和物聯(lián)�(wǎng)終端�
3. 車載信息娛樂系統(tǒng)和高�(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS��
4. �(shù)字電�、機(jī)頂盒以及其他消費(fèi)類電子產(chǎn)��
5. 可穿戴設(shè)備和其他便攜式電子裝��
由于其低功耗特性和高數(shù)�(jù)傳輸速率,該芯片非常適合用于需要長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行且�(duì)能耗敏感的�(yīng)用環(huán)境�
MT41J128M16HA-107:E, MT41J128M16HA-15E