MT41J256M16HA-107:E 是一款由 Micron Technology(美光科技)生�(chǎn)� DDR3L SDRAM 芯片,廣泛應(yīng)用于�(duì)�(nèi)存帶寬和低功耗有較高需求的�(shè)備中。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝制�,支� DDR3L 的低電壓�(biāo)�(zhǔn) (1.35V),具有高容量、高性能和低功耗的特點(diǎn)。其�(shè)�(jì)符合 JEDEC �(biāo)�(zhǔn),適用于筆記本電�、平板電�、嵌入式系統(tǒng)和其他便攜式電子�(shè)��
類型:SDRAM
接口:DDR3L
容量�256 M x 16 = 4GB
組織�(jié)�(gòu)�8-bank architecture
�(shù)�(jù)寬度:x16
Vdd/Vddq�1.35V
速度等級(jí)�1066 Mbps
tCL/CAS延遲�
封裝形式:FBGA 78-ball
工作溫度范圍�-40°C to +85°C
MT41J256M16HA-107:E 提供了出色的性能和低功耗特�,主要特�(diǎn)包括�
1. 支持高達(dá) 1066 Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,能夠滿足現(xiàn)代計(jì)算和圖形處理�(yīng)用的需��
2. 采用 DDR3L 技�(shù),運(yùn)行在 1.35V 的低電壓�,相比傳�(tǒng) DDR3 � 1.5V 更節(jié)��
3. 具備 8 銀行架�(gòu),可以更高效地管理內(nèi)存訪�(wèn)�
4. FBGA 封裝形式,適合高密度 PCB �(shè)�(jì),同�(shí)提高了可靠性和散熱性能�
5. 支持突發(fā)�(zhǎng)度為 4 � 8,提供靈活的�(shù)�(jù)傳輸模式�
6. 工作溫度范圍寬泛,適�(yīng)多種�(huán)境下的使用需��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
該芯片主要用于需要大容量、高性能和低功耗存�(chǔ)解決方案的場(chǎng)�,具體應(yīng)用包括:
1. 筆記本電腦和超極本中的主�(nèi)存模塊�
2. 平板電腦和其他移�(dòng)�(shè)備的�(nèi)部存�(chǔ)�(kuò)��
3. 嵌入式系�(tǒng),例如工�(yè)自動(dòng)化控制器、醫(yī)療設(shè)備和�(wǎng)�(luò)通信�(shè)��
4. 游戲�(jī)和多媒體播放器等消費(fèi)類電子產(chǎn)品�
5. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器和存儲(chǔ)系統(tǒng)中的緩存或輔助存�(chǔ)組件�
MT41J256M16HA-125:E
MT41J256M16HG-107:E
MT41J256M16HH-107:E