MT41K256M16HA-107G:E 是一款由 Micron Technology(美光科技)生�(chǎn)� DDR3L SDRAM 芯片。該芯片主要用于移動(dòng)�(shè)備和低功耗應(yīng)用中,支持更低的工作電壓以減少功耗,同時(shí)保持較高的性能表現(xiàn)�
DDR3L 的“L”代� Low Voltage,工作電壓為 1.35V,與�(biāo)�(zhǔn)� DDR3�1.5V)相比能有效降低能�,非常適合便攜式電子�(shè)備和�(duì)功耗敏感的�(yīng)用場(chǎng)��
�(lèi)型:SDRAM
存儲(chǔ)容量�2GB (256Mb x 16)
�(shù)�(jù)寬度�16�
封裝�(lèi)型:FBGA 78-ball
工作電壓�1.35V
速度等級(jí):CL=7, 1066Mbps
操作溫度范圍�-40°C � +85°C
引腳間距�1.0mm
MT41K256M16HA-107G:E 提供了多種關(guān)鍵特性和�(yōu)�(shì)�
1. 高速性能:該芯片支持高達(dá) 1066 Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,滿足現(xiàn)代系�(tǒng)�(duì)�(nèi)存帶寬的需��
2. 低功耗設(shè)�(jì):采� 1.35V 的工作電�,相比傳�(tǒng)� 1.5V DDR3 �(nèi)存�(jìn)一步降低了功�,延�(zhǎng)電池�(xù)航時(shí)��
3. 小型封裝:使� FBGA 78 球封�,尺寸緊�,適合空間受限的�(shè)�(jì)�
4. 溫度�(wěn)定性:能夠� -40°C � +85°C 的工�(yè)�(jí)溫度范圍�(nèi)可靠�(yùn)�,適�(yīng)各種�(huán)境條��
5. �(qiáng)大的 ECC 支持:通過(guò)糾錯(cuò)碼功能提高數(shù)�(jù)完整性和系統(tǒng)可靠��
6. �(huán)保合�(guī)性:符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),無(wú)鉛制造工藝確保環(huán)保友好�
該芯片廣泛應(yīng)用于需要高性能和低功耗的�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 移動(dòng)�(shè)備:智能手機(jī)和平板電腦中的主�(nèi)存�
2. 嵌入式系�(tǒng):工�(yè)自動(dòng)�、網(wǎng)�(luò)�(shè)備和�(yī)療設(shè)備中的內(nèi)存模塊�
3. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品:�(shù)碼相�(jī)、游戲機(jī)和其他多媒體�(shè)備�
4. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)備:智能家庭、可穿戴�(shè)備等需要高效內(nèi)存管理的�(chǎng)景�
MT41K256M16JT-107E:IT, MT41K256M16HA-125:E