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MT41K256M16HA-125 XIT:E 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/9 17:57:05 查看 閱讀：35

MT41K256M16HA-125 是一款由 Micron（美光）生產(chǎn)的 DDR3 SDRAM 內(nèi)存芯片。該型號(hào)屬于高密度存儲(chǔ)解決方案，廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)和嵌入式系統(tǒng)中。其特點(diǎn)是高速數(shù)據(jù)傳輸速率、低功耗和高可靠性，能夠滿足現(xiàn)代計(jì)算設(shè)備對(duì)內(nèi)存性能的需求。
　　該芯片的容量為 256Mb x 16（等效于 512MB），采用 78-ball FBGA 封裝形式，并支持 DDR3 的標(biāo)準(zhǔn)特性，如突發(fā)長(zhǎng)度為 8 或 4 和 CAS 延遲選項(xiàng)。

參數(shù)

類型：DDR3 SDRAM
　　容量：256Mb x 16（512MB）
　　工作電壓：1.35V
　　數(shù)據(jù)速率：125MHz（對(duì)應(yīng) PC3-10600 標(biāo)準(zhǔn)）
　　封裝形式：78-ball FBGA
　　I/O 配置：x16
　　CAS 延遲：9, 10, 11, 12
　　工作溫度：-40°C 至 +85°C
　　引腳間距：1.0mm

特性

這款 DDR3 SDRAM 芯片的主要特性包括：
　　1. 支持高達(dá) 1600Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率，確保高效的數(shù)據(jù)處理能力。
　　2. 采用 1.35V 的低功耗設(shè)計(jì)，有助于降低整體系統(tǒng)的能耗。
　　3. 具備 On-Die Termination (ODT) 技術(shù)，優(yōu)化信號(hào)完整性。
　　4. 支持 Advanced Power-down 模式，在閑置時(shí)進(jìn)一步降低功耗。
　　5. 提供 Auto Self-Refresh 和 Partial Array Self-Refresh 功能，增強(qiáng)可靠性和靈活性。
　　6. 兼容多種主流平臺(tái)，適用于需要高性能內(nèi)存的應(yīng)用場(chǎng)景。

應(yīng)用

MT41K256M16HA-125 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 臺(tái)式電腦和筆記本電腦中的內(nèi)存條組件。
　　2. 工業(yè)級(jí)控制器和嵌入式系統(tǒng)。
　　3. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備，例如路由器和交換機(jī)。
　　4. 存儲(chǔ)設(shè)備和其他對(duì)數(shù)據(jù)吞吐量要求較高的硬件。
　　5. 醫(yī)療成像、視頻處理和圖形加速等高性能計(jì)算任務(wù)。
　　由于其出色的性能和穩(wěn)定性，該芯片在上述領(lǐng)域的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

替代型號(hào)

MT41K256M16HT-125
　　MT41K256M16JT-125
　　MT41K256M16RT-125

mt41k256m16ha-125 xit:e推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mt41k256m16ha-125 xit:e參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝托盤
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 存儲(chǔ)器類型易失
  • 存儲(chǔ)器格式DRAM
  • 技術(shù)SDRAM - DDR3L
  • 存儲(chǔ)容量4Gb
  • 存儲(chǔ)器組織256M x 16
  • 存儲(chǔ)器接口并聯(lián)
  • 時(shí)鐘頻率800 MHz
  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁(yè)-
  • 訪問時(shí)間13.75 ns
  • 電壓 - 供電1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度-40°C ~ 95°C（TC）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼96-TFBGA
  • 供應(yīng)商器件封裝96-FBGA（9x14）