MT41K256M16HA-125 是一款由 Micron(美光)生產(chǎn)的 DDR3 SDRAM 內(nèi)存芯片。該型號(hào)屬于高密度存儲(chǔ)解決方案,廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)和嵌入式系統(tǒng)中。其特點(diǎn)是高速數(shù)據(jù)傳輸速率、低功耗和高可靠性,能夠滿足現(xiàn)代計(jì)算設(shè)備對(duì)內(nèi)存性能的需求。
該芯片的容量為 256Mb x 16(等效于 512MB),采用 78-ball FBGA 封裝形式,并支持 DDR3 的標(biāo)準(zhǔn)特性,如突發(fā)長(zhǎng)度為 8 或 4 和 CAS 延遲選項(xiàng)。
類型:DDR3 SDRAM
容量:256Mb x 16(512MB)
工作電壓:1.35V
數(shù)據(jù)速率:125MHz(對(duì)應(yīng) PC3-10600 標(biāo)準(zhǔn))
封裝形式:78-ball FBGA
I/O 配置:x16
CAS 延遲:9, 10, 11, 12
工作溫度:-40°C 至 +85°C
引腳間距:1.0mm
這款 DDR3 SDRAM 芯片的主要特性包括:
1. 支持高達(dá) 1600Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率,確保高效的數(shù)據(jù)處理能力。
2. 采用 1.35V 的低功耗設(shè)計(jì),有助于降低整體系統(tǒng)的能耗。
3. 具備 On-Die Termination (ODT) 技術(shù),優(yōu)化信號(hào)完整性。
4. 支持 Advanced Power-down 模式,在閑置時(shí)進(jìn)一步降低功耗。
5. 提供 Auto Self-Refresh 和 Partial Array Self-Refresh 功能,增強(qiáng)可靠性和靈活性。
6. 兼容多種主流平臺(tái),適用于需要高性能內(nèi)存的應(yīng)用場(chǎng)景。
MT41K256M16HA-125 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 臺(tái)式電腦和筆記本電腦中的內(nèi)存條組件。
2. 工業(yè)級(jí)控制器和嵌入式系統(tǒng)。
3. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備,例如路由器和交換機(jī)。
4. 存儲(chǔ)設(shè)備和其他對(duì)數(shù)據(jù)吞吐量要求較高的硬件。
5. 醫(yī)療成像、視頻處理和圖形加速等高性能計(jì)算任務(wù)。
由于其出色的性能和穩(wěn)定性,該芯片在上述領(lǐng)域的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
MT41K256M16HT-125
MT41K256M16JT-125
MT41K256M16RT-125