時間：2025/5/8 14:37:58
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MT41K512M8RH-125 IT:E 是一款由 Micron Technology（美光科技）生產(chǎn)的 DDR3L SDRAM 內(nèi)存芯片。該芯片采用低功耗 1.35V 電壓設(shè)計，適用于移動設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)以及其他對功耗敏感的應(yīng)用場景。
DDR3L 技術(shù)提供更高的帶寬和更快的數(shù)據(jù)傳輸速率，同時保持較低的功耗。這款芯片支持 8-bank 架構(gòu)，具有高可靠性和穩(wěn)定性，廣泛用于智能手機、平板電腦和其他便攜式電子設(shè)備中。
類型：DDR3L SDRAM
容量：512Mb
組織：x8
核心電壓：1.35V
I/O 電壓：1.35/1.5/1.8/2.5V
數(shù)據(jù)速率：800/1066/1333/1600Mbps
封裝：BGA
引腳數(shù)：78-ball
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
JEDEC 標準：符合 JEDEC DDR3L 標準
MT41K512M8RH-125 IT:E 芯片具備以下顯著特性：
1. 高速數(shù)據(jù)傳輸：支持高達 1600 Mbps 的數(shù)據(jù)速率，滿足高性能計算需求。
2. 低功耗：使用 1.35V 電壓，降低功耗并延長電池續(xù)航時間。
3. 穩(wěn)定性與可靠性：采用先進的制造工藝，確保長時間運行中的穩(wěn)定性。
4. 多電壓兼容：支持多種 I/O 電壓配置（1.35V/1.5V/1.8V/2.5V），便于系統(tǒng)集成。
5. 小型化封裝：78-Ball BGA 封裝減少空間占用，適合緊湊型設(shè)計。
6. 廣泛的工作溫度范圍：適應(yīng)不同環(huán)境下的操作需求，提升應(yīng)用靈活性。
MT41K512M8RH-125 IT:E 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 智能手機和平板電腦：
為這些便攜式設(shè)備提供高速內(nèi)存支持，滿足多媒體處理和多任務(wù)運行的需求。
2. 嵌入式系統(tǒng)：
在工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等嵌入式應(yīng)用中，提供高效的數(shù)據(jù)存儲和處理能力。
3. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備：
路由器、交換機等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備需要快速數(shù)據(jù)交換時，此芯片可作為內(nèi)存解決方案。
4. 數(shù)字消費電子產(chǎn)品：
如數(shù)碼相機、游戲機等，需要大容量、低功耗內(nèi)存支持的產(chǎn)品中。
MT41K512M8RE-125 IT:E
MT41K512M8RH-125:
MT41K512M8RE-125
