MT41K512M8RH-125 IT:E 是一款由 Micron Technology(美光科技)生�(chǎn)� DDR3L SDRAM �(nèi)存芯�。該芯片采用低功� 1.35V 電壓�(shè)�,適用于移動�(shè)備、嵌入式系統(tǒng)以及其他對功耗敏感的�(yīng)用場��
DDR3L 技�(shù)提供更高的帶寬和更快的數(shù)�(jù)傳輸速率,同時保持較低的功�。這款芯片支持 8-bank 架構(gòu),具有高可靠性和�(wěn)定性,廣泛用于智能手機、平板電腦和其他便攜式電子設(shè)備中�
類型:DDR3L SDRAM
容量�512Mb
組織:x8
核心電壓�1.35V
I/O 電壓�1.35/1.5/1.8/2.5V
�(shù)�(jù)速率�800/1066/1333/1600Mbps
封裝:BGA
引腳�(shù)�78-ball
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
JEDEC 標準:符� JEDEC DDR3L 標準
MT41K512M8RH-125 IT:E 芯片具備以下顯著特性:
1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支持高� 1600 Mbps 的數(shù)�(jù)速率,滿足高性能計算需求�
2. 低功耗:使用 1.35V 電壓,降低功耗并延長電池�(xù)航時��
3. �(wěn)定性與可靠性:采用先進的制造工藝,確保長時間運行中的穩(wěn)定��
4. 多電壓兼容:支持多種 I/O 電壓配置�1.35V/1.5V/1.8V/2.5V),便于系統(tǒng)集成�
5. 小型化封裝:78-Ball BGA 封裝減少空間占用,適合緊湊型�(shè)��
6. 廣泛的工作溫度范圍:適應(yīng)不同�(huán)境下的操作需�,提升應(yīng)用靈活��
MT41K512M8RH-125 IT:E 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 智能手機和平板電腦:
為這些便攜式設(shè)備提供高速內(nèi)存支�,滿足多媒體處理和多任務(wù)運行的需求�
2. 嵌入式系�(tǒng)�
在工�(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等嵌入式應(yīng)用中,提供高效的�(shù)�(jù)存儲和處理能��
3. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備:
路由�、交換機等網(wǎng)�(luò)�(shè)備需要快速數(shù)�(jù)交換�,此芯片可作為內(nèi)存解決方��
4. �(shù)字消費電子產(chǎn)品:
如數(shù)碼相機、游戲機�,需要大容量、低功耗內(nèi)存支持的�(chǎn)品中�
MT41K512M8RE-125 IT:E
MT41K512M8RH-125:
MT41K512M8RE-125