MT41K512M8RH-125 IT:E 是一款由 Micron Technology(美光科技)生產(chǎn)的 DDR3L SDRAM 內(nèi)存芯片。該芯片采用低功耗 1.35V 電壓設(shè)計,適用于移動設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)以及其他對功耗敏感的應(yīng)用場景。
DDR3L 技術(shù)提供更高的帶寬和更快的數(shù)據(jù)傳輸速率,同時保持較低的功耗。這款芯片支持 8-bank 架構(gòu),具有高可靠性和穩(wěn)定性,廣泛用于智能手機、平板電腦和其他便攜式電子設(shè)備中。
類型:DDR3L SDRAM
容量:512Mb
組織:x8
核心電壓:1.35V
I/O 電壓:1.35/1.5/1.8/2.5V
數(shù)據(jù)速率:800/1066/1333/1600Mbps
封裝:BGA
引腳數(shù):78-ball
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
JEDEC 標準:符合 JEDEC DDR3L 標準
MT41K512M8RH-125 IT:E 芯片具備以下顯著特性:
1. 高速數(shù)據(jù)傳輸:支持高達 1600 Mbps 的數(shù)據(jù)速率,滿足高性能計算需求。
2. 低功耗:使用 1.35V 電壓,降低功耗并延長電池續(xù)航時間。
3. 穩(wěn)定性與可靠性:采用先進的制造工藝,確保長時間運行中的穩(wěn)定性。
4. 多電壓兼容:支持多種 I/O 電壓配置(1.35V/1.5V/1.8V/2.5V),便于系統(tǒng)集成。
5. 小型化封裝:78-Ball BGA 封裝減少空間占用,適合緊湊型設(shè)計。
6. 廣泛的工作溫度范圍:適應(yīng)不同環(huán)境下的操作需求,提升應(yīng)用靈活性。
MT41K512M8RH-125 IT:E 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 智能手機和平板電腦:
為這些便攜式設(shè)備提供高速內(nèi)存支持,滿足多媒體處理和多任務(wù)運行的需求。
2. 嵌入式系統(tǒng):
在工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等嵌入式應(yīng)用中,提供高效的數(shù)據(jù)存儲和處理能力。
3. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備:
路由器、交換機等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備需要快速數(shù)據(jù)交換時,此芯片可作為內(nèi)存解決方案。
4. 數(shù)字消費電子產(chǎn)品:
如數(shù)碼相機、游戲機等,需要大容量、低功耗內(nèi)存支持的產(chǎn)品中。
MT41K512M8RE-125 IT:E
MT41K512M8RH-125:
MT41K512M8RE-125