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MT41K512M8RH-125 IT:E 發(fā)布時間 時間:2025/5/8 14:37:58 查看 閱讀:34

MT41K512M8RH-125 IT:E 是一款由 Micron Technology(美光科技)生產(chǎn)的 DDR3L SDRAM 內(nèi)存芯片。該芯片采用低功耗 1.35V 電壓設(shè)計,適用于移動設(shè)備、嵌入式系統(tǒng)以及其他對功耗敏感的應(yīng)用場景。
  DDR3L 技術(shù)提供更高的帶寬和更快的數(shù)據(jù)傳輸速率,同時保持較低的功耗。這款芯片支持 8-bank 架構(gòu),具有高可靠性和穩(wěn)定性,廣泛用于智能手機、平板電腦和其他便攜式電子設(shè)備中。

參數(shù)

類型:DDR3L SDRAM
  容量:512Mb
  組織:x8
  核心電壓:1.35V
  I/O 電壓:1.35/1.5/1.8/2.5V
  數(shù)據(jù)速率:800/1066/1333/1600Mbps
  封裝:BGA
  引腳數(shù):78-ball
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  JEDEC 標準:符合 JEDEC DDR3L 標準

特性

MT41K512M8RH-125 IT:E 芯片具備以下顯著特性:
  1. 高速數(shù)據(jù)傳輸:支持高達 1600 Mbps 的數(shù)據(jù)速率,滿足高性能計算需求。
  2. 低功耗:使用 1.35V 電壓,降低功耗并延長電池續(xù)航時間。
  3. 穩(wěn)定性與可靠性:采用先進的制造工藝,確保長時間運行中的穩(wěn)定性。
  4. 多電壓兼容:支持多種 I/O 電壓配置(1.35V/1.5V/1.8V/2.5V),便于系統(tǒng)集成。
  5. 小型化封裝:78-Ball BGA 封裝減少空間占用,適合緊湊型設(shè)計。
  6. 廣泛的工作溫度范圍:適應(yīng)不同環(huán)境下的操作需求,提升應(yīng)用靈活性。

應(yīng)用

MT41K512M8RH-125 IT:E 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 智能手機和平板電腦:
  為這些便攜式設(shè)備提供高速內(nèi)存支持,滿足多媒體處理和多任務(wù)運行的需求。
  2. 嵌入式系統(tǒng):
  在工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等嵌入式應(yīng)用中,提供高效的數(shù)據(jù)存儲和處理能力。
  3. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備:
  路由器、交換機等網(wǎng)絡(luò)設(shè)備需要快速數(shù)據(jù)交換時,此芯片可作為內(nèi)存解決方案。
  4. 數(shù)字消費電子產(chǎn)品:
  如數(shù)碼相機、游戲機等,需要大容量、低功耗內(nèi)存支持的產(chǎn)品中。

替代型號

MT41K512M8RE-125 IT:E
  MT41K512M8RH-125:
  MT41K512M8RE-125

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mt41k512m8rh-125 it:e產(chǎn)品

mt41k512m8rh-125 it:e參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝托盤
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 存儲器類型易失
  • 存儲器格式DRAM
  • 技術(shù)SDRAM - DDR3L
  • 存儲容量4Gb
  • 存儲器組織512M x 8
  • 存儲器接口并聯(lián)
  • 時鐘頻率800 MHz
  • 寫周期時間 - 字,頁-
  • 訪問時間13.75 ns
  • 電壓 - 供電1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 封裝/外殼78-TFBGA
  • 供應(yīng)商器件封裝78-FBGA(9x10.5)