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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > MT41K512M8RH-125 IT:E

MT41K512M8RH-125 IT:E 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 14:37:58 查看 閱讀�34

MT41K512M8RH-125 IT:E 是一款由 Micron Technology(美光科技)生�(chǎn)� DDR3L SDRAM �(nèi)存芯�。該芯片采用低功� 1.35V 電壓�(shè)�,適用于移動�(shè)備、嵌入式系統(tǒng)以及其他對功耗敏感的�(yīng)用場��
  DDR3L 技�(shù)提供更高的帶寬和更快的數(shù)�(jù)傳輸速率,同時保持較低的功�。這款芯片支持 8-bank 架構(gòu),具有高可靠性和�(wěn)定性,廣泛用于智能手機、平板電腦和其他便攜式電子設(shè)備中�

參數(shù)

類型:DDR3L SDRAM
  容量�512Mb
  組織:x8
  核心電壓�1.35V
  I/O 電壓�1.35/1.5/1.8/2.5V
  �(shù)�(jù)速率�800/1066/1333/1600Mbps
  封裝:BGA
  引腳�(shù)�78-ball
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  JEDEC 標準:符� JEDEC DDR3L 標準

特�

MT41K512M8RH-125 IT:E 芯片具備以下顯著特性:
  1. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支持高� 1600 Mbps 的數(shù)�(jù)速率,滿足高性能計算需求�
  2. 低功耗:使用 1.35V 電壓,降低功耗并延長電池�(xù)航時��
  3. �(wěn)定性與可靠性:采用先進的制造工藝,確保長時間運行中的穩(wěn)定��
  4. 多電壓兼容:支持多種 I/O 電壓配置�1.35V/1.5V/1.8V/2.5V),便于系統(tǒng)集成�
  5. 小型化封裝:78-Ball BGA 封裝減少空間占用,適合緊湊型�(shè)��
  6. 廣泛的工作溫度范圍:適應(yīng)不同�(huán)境下的操作需�,提升應(yīng)用靈活��

�(yīng)�

MT41K512M8RH-125 IT:E 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 智能手機和平板電腦:
  為這些便攜式設(shè)備提供高速內(nèi)存支�,滿足多媒體處理和多任務(wù)運行的需求�
  2. 嵌入式系�(tǒng)�
  在工�(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等嵌入式應(yīng)用中,提供高效的�(shù)�(jù)存儲和處理能��
  3. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備:
  路由�、交換機等網(wǎng)�(luò)�(shè)備需要快速數(shù)�(jù)交換�,此芯片可作為內(nèi)存解決方��
  4. �(shù)字消費電子產(chǎn)品:
  如數(shù)碼相機、游戲機�,需要大容量、低功耗內(nèi)存支持的�(chǎn)品中�

替代型號

MT41K512M8RE-125 IT:E
  MT41K512M8RH-125:
  MT41K512M8RE-125

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  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mt41k512m8rh-125 it:e�(chǎn)�

mt41k512m8rh-125 it:e參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列-
  • 包裝托盤
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 存儲器類�易失
  • 存儲器格�DRAM
  • 技�(shù)SDRAM - DDR3L
  • 存儲容量4Gb
  • 存儲器組�512M x 8
  • 存儲器接�并聯(lián)
  • 時鐘頻率800 MHz
  • 寫周期時� - �,頁-
  • 訪問時間13.75 ns
  • 電壓 - 供電1.283V ~ 1.45V
  • 工作溫度-40°C ~ 95°C(TC�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼78-TFBGA
  • 供應(yīng)商器件封�78-FBGA�9x10.5�