MT46V64M8CY-5B:J 是一款由 Micron Technology(美光科技)制造的 DDR SDRAM(雙倍數(shù)�(jù)速率同步�(dòng)�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。該芯片廣泛�(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)、網(wǎng)�(luò)�(shè)備以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中,用于提供高效的臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)功能�
它采� TSOP II 封裝形式,具有低功耗和高可靠性的特點(diǎn)。該型號(hào)屬于 Micron � MT46V 系列,支� 2.5V 工作電壓,并具有單端�(shí)鐘輸入和差分�(shí)鐘輸入兩種選�(xiàng)�
類型:DDR SDRAM
容量�64Mb (8M x 8)
帶寬:PC100/PC133 兼容
工作電壓�2.5V
封裝:TSOP II-60
速度等級(jí)�-5B(CL=2,tAC=5ns�
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
引腳�(shù)�60
MT46V64M8CY-5B:J 提供了以下顯著特性:
1. 高速數(shù)�(jù)傳輸能力:DDR 技�(shù)使得在每�(gè)�(shí)鐘周期內(nèi)可以�(jìn)行兩次數(shù)�(jù)傳輸,從而大幅提高了�(shù)�(jù)吞吐��
2. 支持突發(fā)�(zhǎng)度模式:支持多種突發(fā)�(zhǎng)度(� Burst Length = 2 � 4),用戶可以根據(jù)具體需求靈活選��
3. 自動(dòng)刷新與自刷新模式:具備自�(dòng)刷新功能,可減少控制器負(fù)�(dān);同�(shí)支持自刷新模式以降低功��
4. 低功耗設(shè)�(jì):優(yōu)化的電路�(shè)�(jì)使其在待�(jī)模式下能夠�(jìn)一步減少能量消耗�
5. 可靠性強(qiáng):符合工�(yè)�(jí)�(biāo)�(zhǔn),適用于各種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��
該芯片適合于需要高性能�(nèi)存的�(chǎng)景,典型�(yīng)用包括:
1. 嵌入式系�(tǒng)中的處理器緩存擴(kuò)��
2. �(wǎng)�(luò)交換�(jī)、路由器等通信�(shè)備的�(shù)�(jù)緩沖�
3. �(shù)字電�、機(jī)頂盒以及其他多媒體設(shè)備的視頻處理任務(wù)�
4. 游戲�(jī)及圖形加速卡中的圖像渲染緩存�
由于其緊湊的封裝和較低的功�,這款芯片特別適合�(duì)體積和能耗有�(yán)格要求的�(chǎn)品設(shè)�(jì)�
MT46V64M8BB-75:B, MT46V64M8TY-75:H