MT46V64M8CY-5B:J 是一款由 Micron Technology(美光科技)制造的 DDR SDRAM(雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。該芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品中,用于提供高效的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能。
它采用 TSOP II 封裝形式,具有低功耗和高可靠性的特點(diǎn)。該型號(hào)屬于 Micron 的 MT46V 系列,支持 2.5V 工作電壓,并具有單端時(shí)鐘輸入和差分時(shí)鐘輸入兩種選項(xiàng)。
類型:DDR SDRAM
容量:64Mb (8M x 8)
帶寬:PC100/PC133 兼容
工作電壓:2.5V
封裝:TSOP II-60
速度等級(jí):-5B(CL=2,tAC=5ns)
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
引腳數(shù):60
MT46V64M8CY-5B:J 提供了以下顯著特性:
1. 高速數(shù)據(jù)傳輸能力:DDR 技術(shù)使得在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)可以進(jìn)行兩次數(shù)據(jù)傳輸,從而大幅提高了數(shù)據(jù)吞吐量。
2. 支持突發(fā)長(zhǎng)度模式:支持多種突發(fā)長(zhǎng)度(如 Burst Length = 2 或 4),用戶可以根據(jù)具體需求靈活選擇。
3. 自動(dòng)刷新與自刷新模式:具備自動(dòng)刷新功能,可減少控制器負(fù)擔(dān);同時(shí)支持自刷新模式以降低功耗。
4. 低功耗設(shè)計(jì):優(yōu)化的電路設(shè)計(jì)使其在待機(jī)模式下能夠進(jìn)一步減少能量消耗。
5. 可靠性強(qiáng):符合工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn),適用于各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
該芯片適合于需要高性能內(nèi)存的場(chǎng)景,典型應(yīng)用包括:
1. 嵌入式系統(tǒng)中的處理器緩存擴(kuò)展。
2. 網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、路由器等通信設(shè)備的數(shù)據(jù)緩沖。
3. 數(shù)字電視、機(jī)頂盒以及其他多媒體設(shè)備的視頻處理任務(wù)。
4. 游戲機(jī)及圖形加速卡中的圖像渲染緩存。
由于其緊湊的封裝和較低的功耗,這款芯片特別適合對(duì)體積和能耗有嚴(yán)格要求的產(chǎn)品設(shè)計(jì)。
MT46V64M8BB-75:B, MT46V64M8TY-75:H