MT47H128M16RT-25EIT:C 是一款由 Micron Technology(美光科技)生�(chǎn)� DDR3L SDRAM 芯片,屬于低電壓�(nèi)存系�。該芯片主要�(yīng)用于移動�(shè)�、嵌入式系統(tǒng)和其他對功耗敏感的場景��
DDR3L � DDR3 的低電壓版本,工作電壓為 1.35V,相較于標準� DDR3�1.5V)能夠顯著降低功�。這款芯片提供大容量和高性能的內(nèi)存解決方案,適用于需要高帶寬和低功耗的場合�
類型:DDR3L SDRAM
容量�128Mb (16M x 8)
速度�1600 Mbps (PC3L-12800)
工作電壓�1.35V
封裝形式:BGA
引腳�(shù)�78-ball
�(shù)�(jù)寬度:x8
CL值:11
溫度范圍:工�(yè)� (-40°C � +85°C)
MT47H128M16RT-25EIT:C 支持 DDR3L 的所有關(guān)鍵特性,包括自動刷新、自我刷新、電源管理模式以及擴展溫度范圍支��
1. 低功耗設(shè)計:� 1.35V 的工作電壓相比標� DDR3 � 1.5V 可減少約 15% 的功��
2. 高性能:該芯片支持高達 1600 Mbps 的傳輸速率,能夠滿足現(xiàn)代應(yīng)用對高速數(shù)�(jù)傳輸?shù)男枨�?br> 3. 小型封裝:采� BGA 封裝,適合空間受限的�(yīng)用場��
4. �(wěn)定性:工業(yè)級的工作溫度范圍使其能夠在惡劣環(huán)境下可靠運行�
5. 多功能操作模式:支持多種省電模式,例如深度掉電模式和部分陣列自刷新模�,進一步優(yōu)化功耗表�(xiàn)�
這些特性使� MT47H128M16RT-25EIT:C 成為移動�(shè)�、平板電�、網(wǎng)�(luò)�(shè)備以及其他便攜式電子�(chǎn)品的理想選擇�
該芯片廣泛應(yīng)用于各種需要高性能、低功耗內(nèi)存的�(lǐng)��
1. 移動�(shè)備:智能手機和平板電腦等便攜式設(shè)備使用該芯片來實�(xiàn)快速的�(shù)�(jù)處理和高效的功耗管��
2. 嵌入式系�(tǒng):在工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備和汽車電子中,MT47H128M16RT-25EIT:C 提供了穩(wěn)定且可靠的內(nèi)存解決方��
3. �(wǎng)�(luò)�(shè)備:路由�、交換機和其他網(wǎng)�(luò)基礎(chǔ)�(shè)施利用該芯片實現(xiàn)高速數(shù)�(jù)傳輸�
4. 物聯(lián)�(wǎng) (IoT):在物聯(lián)�(wǎng)終端�(shè)備中,該芯片的低功耗和高性能特點非常適合電池供電的環(huán)��
總體而言,MT47H128M16RT-25EIT:C 是一個多功能且靈活的�(nèi)存芯�,適用于廣泛的電子應(yīng)用領(lǐng)域�
MT47H128M16RT-25E:IT
MT47H128M16RT-25:B
MT47H128M16RT-25E:B