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MT47H256M8EB-25E 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 14:19:45 查看 閱讀�22

MT47H256M8EB-25E 是由 Micron(美光)生產(chǎn)的一� DDR3 SDRAM 芯片,廣泛應(yīng)用于計算機系�(tǒng)、服�(wù)器和嵌入式設(shè)備中。該芯片屬于高密度存儲解決方�,具有較高的�(shù)�(jù)傳輸速率和低功耗特性,能夠滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對高性能�(nèi)存的需��
  DDR3 技�(shù)通過改進的�(shù)�(jù)�(yù)取架�(gòu)、更高的時鐘頻率以及更低的工作電壓,顯著提升了數(shù)�(jù)吞吐量并降低了能��

參數(shù)

容量�2Gb
  組織方式�256M x 8
  工作電壓�1.35V
  �(shù)�(jù)速率�2500Mbps (PC3-2000)
  封裝形式:FBGA
  引腳�(shù)�96-ball
  工作溫度范圍�-40°C to +85°C
  存取時間:CL=11
  刷新模式:自動刷�

特�

MT47H256M8EB-25E 具有以下主要特性:
  1. 支持 DDR3L �(biāo)�(zhǔn),適用于需要較低工作電壓的場景�
  2. �(shù)�(jù)速率�(dá)� 2500Mbps,提供快速的�(shù)�(jù)傳輸能力�
  3. �(nèi)� DLL(延遲鎖定環(huán)路),確保信號完整性并�(yōu)化時序性能�
  4. 配備 ODT(板載終端電阻)功能,減少信號反射并提高多負(fù)載環(huán)境下的穩(wěn)定��
  5. 支持 ECC(錯誤校驗與糾正)功能,增強�(shù)�(jù)可靠��
  6. 符合 JEDEC �(biāo)�(zhǔn),易于與其他兼容組件集成�
  7. 工作溫度范圍廣,適合工業(yè)及商�(yè)�(yīng)用環(huán)��

�(yīng)�

MT47H256M8EB-25E 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 臺式機和筆記本電腦的主內(nèi)存模塊�
  2. 嵌入式系�(tǒng)中的高速緩存和�(shù)�(jù)存儲�
  3. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備,如路由器和交換機�
  4. �(yī)療成像設(shè)備和其他對數(shù)�(jù)處理速度要求較高的應(yīng)用�
  5. 工業(yè)自動化控制器和實時監(jiān)控系�(tǒng)�
  其高性能和低功耗特點使其成為眾多電子設(shè)備的理想選擇�

替代型號

MT47H256M8HB-25E
  MT47H256M8RR-25E
  MT47H256M8RT-25E

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