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MT47H64M16HR-25E IT:H 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 14:29:36 查看 閱讀：16

MT47H64M16HR-25E 是由 Micron（鎂光）生產(chǎn)的一款 DDR3 SDRAM 芯片，屬于高性能存儲(chǔ)器系列。該芯片主要用于需要高帶寬和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景，廣泛適用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和其他嵌入式系統(tǒng)中。
　　其設(shè)計(jì)符合 JEDEC DDR3 標(biāo)準(zhǔn)，支持更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更低的功耗模式，能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)內(nèi)存性能的需求。

參數(shù)

容量：4Gb
　　組織：64Mb x 16
　　核心電壓(Vcc)：1.35V
　　I/O電壓(Vccq)：1.35V
　　速度：1600Mbps
　　封裝類型：FBGA
　　引腳數(shù)：96
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
　　刷新周期：64ms

特性

MT47H64M16HR-25E 提供了卓越的性能表現(xiàn)和可靠性，主要特性如下：
　　1. 支持 DDR3L 的低電壓運(yùn)行（1.35V），有助于降低整體系統(tǒng)的功耗。
　　2. 最大傳輸速率達(dá)到 1600Mbps，提供更快的數(shù)據(jù)處理能力。
　　3. 內(nèi)置自動(dòng)刷新和自刷新功能，確保數(shù)據(jù)完整性并減少控制器負(fù)擔(dān)。
　　4. 支持多種省電模式，例如深度電源降級(jí) (DPD) 和動(dòng)態(tài)時(shí)鐘停止 (DCS)，以進(jìn)一步優(yōu)化功耗。
　　5. 高密度存儲(chǔ)解決方案使其非常適合空間受限的設(shè)計(jì)。
　　6. 寬泛的工作溫度范圍使該芯片能夠在各種環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。

應(yīng)用

MT47H64M16HR-25E 適用于多種需要高性能存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于：
　　1. 臺(tái)式電腦和筆記本電腦的主內(nèi)存擴(kuò)展。
　　2. 工業(yè)控制設(shè)備中的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理。
　　3. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備，如路由器和交換機(jī)的緩存存儲(chǔ)。
　　4. 嵌入式系統(tǒng)中的圖像和信號(hào)處理任務(wù)。
　　5. 醫(yī)療成像設(shè)備和科學(xué)儀器等對(duì)速度和可靠性要求較高的場(chǎng)合。

替代型號(hào)

MT47H64M16HR-25:H, MT47H64M16JR-25:E, MT47H64M16JR-25:H

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mt47h64m16hr-25e it:h參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝1,000
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲(chǔ)器
  • 系列-
  • 格式 - 存儲(chǔ)器RAM
  • 存儲(chǔ)器類型DDR2 SDRAM
  • 存儲(chǔ)容量1G（64M x 16）
  • 速度2.5ns
  • 接口并聯(lián)
  • 電源電壓1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作溫度-40°C ~ 95°C
  • 封裝/外殼84-TFBGA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝84-FBGA（8.0x12.5）
  • 包裝托盤(pán)