MTD1N60ET4 是一款由 Microchip 推出� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電�、高開關速度和出色的熱性能,適用于各種高效能電源管理應用。其額定電壓� 600V,適用于需要高壓支持的應用場景�
該芯片廣泛應用于開關電源、DC-DC 轉換器、電機驅(qū)動器和逆變器等電路�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�1.2A
導通電阻(典型值)�3.5Ω
柵極電荷�15nC
總電容:250pF
工作結溫范圍�-55°C � +150°C
1. 高電壓能力:600V 的耐壓等級確保了其在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定��
2. 低導通電阻:導通電阻僅� 3.5Ω,可降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
3. 快速開關性能:具有較低的柵極電荷和快速開關時間,減少了開關損��
4. 熱穩(wěn)定性:具備良好的熱特性和較高的結溫范圍,能夠在嚴苛的工作條件下保持穩(wěn)定運��
5. 小封裝尺寸:采用緊湊型封裝設計,節(jié)省了 PCB 空間,適合對空間有嚴格要求的設計�
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC 轉換�
3. 電機�(qū)動器
4. 工業(yè)逆變�
5. 家電中的高壓控制電路
6. LED �(qū)動電�
7. 充電器和適配�
MTD1N60E4, IRF840, STP12NF60