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MTD3055V 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/27 18:58:19 查看 閱讀:12

MTD3055V是一種NPN型的大功率晶體管,廣泛應(yīng)用于高電流開(kāi)關(guān)和線性放大電路中。該晶體管具有較高的集電極-發(fā)射極擊穿電壓、較大的電流處理能力和較低的飽和電壓,適合在需要大功率輸出的應(yīng)用場(chǎng)景中使用。
  這種晶體管通常用于音頻功率放大器、電機(jī)控制、開(kāi)關(guān)電源等應(yīng)用領(lǐng)域,能夠承受相對(duì)較高的電壓和電流負(fù)載,同時(shí)保持良好的穩(wěn)定性和可靠性。

參數(shù)

集電極-發(fā)射極擊穿電壓:60V
  集電極最大電流:15A
  功耗:200W
  直流電流增益(hFE):20~200
  集電極-基極反向擊穿電壓:60V
  集電極-發(fā)射極飽和電壓:2.5V(max)
  存儲(chǔ)溫度范圍:-55℃ to +150℃
  工作結(jié)溫:-55℃ to +150℃

特性

MTD3055V是一款大功率NPN晶體管,具備以下主要特性:
  1. 高電流承載能力:其最大集電極電流可達(dá)15A,適用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載。
  2. 較高的擊穿電壓:集電極-發(fā)射極和集電極-基極擊穿電壓均為60V,確保了器件在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定性。
  3. 較低的飽和電壓:在導(dǎo)通狀態(tài)下,晶體管的飽和電壓僅為2.5V(最大值),有助于降低功耗和發(fā)熱。
  4. 廣泛的工作溫度范圍:能夠在-55℃到+150℃的環(huán)境下正常工作,適應(yīng)多種極端條件。
  5. 可靠性高:經(jīng)過(guò)嚴(yán)格測(cè)試,確保長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行中的穩(wěn)定性與可靠性。
  6. 封裝形式為TO-220,便于散熱設(shè)計(jì)和安裝。

應(yīng)用

MTD3055V晶體管廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 音頻功率放大器:作為輸出級(jí)晶體管,提供足夠的電流以驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于控制直流或步進(jìn)電機(jī)的速度和方向。
  3. 開(kāi)關(guān)電源:在開(kāi)關(guān)模式電源中用作開(kāi)關(guān)元件。
  4. 線性穩(wěn)壓器:用于構(gòu)建高效的線性穩(wěn)壓電路。
  5. 負(fù)載切換:實(shí)現(xiàn)對(duì)大電流負(fù)載的快速開(kāi)啟和關(guān)閉控制。
  6. 繼電器驅(qū)動(dòng):提供足夠電流來(lái)驅(qū)動(dòng)電磁繼電器或其他感性負(fù)載。

替代型號(hào)

TIP3055, MJD3055, 2SD1408

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mtd3055v參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12A
  • 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 6A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds500pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-252-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MTD3055V-NDMTD3055VTR