MTD6N10T4G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的增強型功率晶體管,適用于高頻和高效率的電源轉換應用。該器件具有低導通電阻、快速開關速度以及出色的熱性能,廣泛應用于 DC-DC 轉換器、AC-DC 適配器以及電機驅動等領域。
作為一款常關型(enhancement-mode)晶體管,MTD6N10T4G 在設計上能夠支持高達 100V 的漏源電壓,并且具備極低的導通電阻,從而有效降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率。
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流:6A
導通電阻:3.5mΩ
柵極電荷:40nC
輸入電容:1200pF
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-247-3
MTD6N10T4G 擁有以下顯著特點:
1. 基于增強型氮化鎵技術,提供卓越的開關性能和效率。
2. 極低的導通電阻 (3.5mΩ),有助于減少傳導損耗并提高功率密度。
3. 高速開關能力,適合高頻應用,例如硬開關和軟開關拓撲。
4. 支持寬泛的工作溫度范圍 (-55°C 至 +175°C),增強了其在惡劣環(huán)境下的可靠性。
5. 提供 TO-247-3 封裝,便于散熱管理與安裝。
6. 內置 ESD 保護電路,進一步提高了器件的魯棒性。
這些特性使得 MTD6N10T4G 成為高效功率轉換應用的理想選擇,尤其在需要緊湊設計和高性能表現(xiàn)的場景中。
MTD6N10T4G 主要應用于以下領域:
1. 高效 DC-DC 轉換器。
2. AC-DC 適配器和充電器。
3. 圖形卡供電模塊 (VRM)。
4. 工業(yè)電機驅動和控制。
5. 可再生能源系統(tǒng)的功率轉換。
6. 通信電源和服務器電源供應。
由于其高頻特性和低損耗表現(xiàn),這款器件非常適合要求高效率和高功率密度的設計。
MTD6N08T4G, MTD6N12T4G