MTD6N10T4G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的增強型功率晶體管,適用于高頻和高效率的電源轉換應用。該器件具有低導通電�、快速開關速度以及出色的熱性能,廣泛應用于 DC-DC 轉換�、AC-DC 適配器以及電機驅動等領域�
作為一款常關型(enhancement-mode)晶體管,MTD6N10T4G 在設計上能夠支持高達 100V 的漏源電�,并且具備極低的導通電�,從而有效降低功率損耗,提升系統(tǒng)效率�
最大漏源電壓:100V
最大連續(xù)漏極電流�6A
導通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�40nC
輸入電容�1200pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3
MTD6N10T4G 擁有以下顯著特點�
1. 基于增強型氮化鎵技�,提供卓越的開關性能和效��
2. 極低的導通電� (3.5mΩ),有助于減少傳導損耗并提高功率密度�
3. 高速開關能�,適合高頻應�,例如硬開關和軟開關拓撲�
4. 支持寬泛的工作溫度范� (-55°C � +175°C),增強了其在惡劣�(huán)境下的可靠��
5. 提供 TO-247-3 封裝,便于散熱管理與安裝�
6. 內置 ESD 保護電路,進一步提高了器件的魯棒��
這些特性使� MTD6N10T4G 成為高效功率轉換應用的理想選�,尤其在需要緊湊設計和高性能表現(xiàn)的場景中�
MTD6N10T4G 主要應用于以下領域:
1. 高效 DC-DC 轉換器�
2. AC-DC 適配器和充電��
3. 圖形卡供電模� (VRM)�
4. 工業(yè)電機驅動和控��
5. 可再生能源系�(tǒng)的功率轉��
6. 通信電源和服務器電源供應�
由于其高頻特性和低損耗表�(xiàn),這款器件非常適合要求高效率和高功率密度的設計�
MTD6N08T4G, MTD6N12T4G