MTP2N50是一種N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),通常用于開(kāi)關(guān)和功率控制應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓以及快速開(kāi)關(guān)特性,適合在各種電子電路中實(shí)現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換。
它廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換以及其他需要高效功率管理的場(chǎng)合。
型號(hào):MTP2N50
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):500V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):1.8A
脈沖漏極電流(Ip):6.8A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.4Ω(在Vgs=10V時(shí))
總功耗(Ptot):75W
工作溫度范圍(Tj):-55℃ to +150℃
MTP2N50具備以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,可承受高達(dá)500V的漏源電壓,使其適用于高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
2. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低導(dǎo)通損耗并提高整體效率。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能,能夠支持高頻操作,減少開(kāi)關(guān)損耗。
4. 熱穩(wěn)定性良好,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性能。
5. 小型封裝設(shè)計(jì),便于集成到緊湊型電路板中。
這些特性使得MTP2N50成為許多功率轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用的理想選擇。
MTP2N50主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)關(guān)元件。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的開(kāi)關(guān)或控制器。
3. 負(fù)載切換和保護(hù)電路。
4. 逆變器及不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制組件。
其高耐壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)使它非常適合于需要高效功率管理的場(chǎng)景。
IRF540N
STP36NF06L
FQP19N50
IXTK18N50T2