MTP2N50 時(shí)間：2025/6/3 17:37:40 閱讀：13

MTP2N50是一種N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），通常用于開(kāi)關(guān)和功率控制應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓以及快速開(kāi)關(guān)特性，適合在各種電子電路中實(shí)現(xiàn)高效功率轉(zhuǎn)換。
　　它廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換以及其他需要高效功率管理的場(chǎng)合。

參數(shù)

型號(hào)：MTP2N50
　　類型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：500V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：1.8A
　　脈沖漏極電流(Ip)：6.8A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：3.4Ω（在Vgs=10V時(shí)）
　　總功耗(Ptot)：75W
　　工作溫度范圍(Tj)：-55℃ to +150℃

特性

MTP2N50具備以下顯著特性：
　　1. 高耐壓能力，可承受高達(dá)500V的漏源電壓，使其適用于高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
　　2. 低導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低導(dǎo)通損耗并提高整體效率。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)性能，能夠支持高頻操作，減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　4. 熱穩(wěn)定性良好，能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性能。
　　5. 小型封裝設(shè)計(jì)，便于集成到緊湊型電路板中。
　　這些特性使得MTP2N50成為許多功率轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

MTP2N50主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的功率開(kāi)關(guān)元件。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的開(kāi)關(guān)或控制器。
　　3. 負(fù)載切換和保護(hù)電路。
　　4. 逆變器及不間斷電源（UPS）系統(tǒng)。
　　5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制組件。
　　其高耐壓和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn)使它非常適合于需要高效功率管理的場(chǎng)景。