MTVA0400N09WB1是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),由知名半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,非常適合用于高頻開關(guān)�(yīng)用和功率�(zhuǎn)換電路中。其�(shè)計旨在優(yōu)化效率和性能,同時提供出色的熱穩(wěn)定性和可靠��
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器�,封裝形式通常為表面貼裝類�,便于自動化生產(chǎn)和安�。它的主要應(yīng)用場景包括但不限于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載切換和DC-DC�(zhuǎn)換器��
最大漏源電壓:90V
連續(xù)漏極電流�4A
�(dǎo)通電阻:4mΩ
柵極電荷�25nC
總功耗:1.8W
工作溫度范圍�-55� to 175�
MTVA0400N09WB1具有非常低的�(dǎo)通電�,能夠顯著減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。此�,該器件的柵極電荷較低,從而降低了開關(guān)損�,使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
此MOSFET還具有優(yōu)異的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,延長了�(chǎn)品的使用壽命。其緊湊的封裝設(shè)計也使其非常適合空間受限的應(yīng)用場��
另外,MTVA0400N09WB1具備快速的開關(guān)速度和良好的抗雪崩能力,確保在各種復(fù)雜工況下依然保持可靠的性能表現(xiàn)�
該元器件廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(shè)備中,例如筆記本電腦適配�、電視電�、LED�(qū)動器以及工業(yè)控制�(lǐng)域中的各種功率轉(zhuǎn)換電��
此外,由于其高效的特性和緊湊的設(shè)�,MTVA0400N09WB1也常被用于消�(fèi)類電子產(chǎn)品和通信基礎(chǔ)�(shè)施中的電源管理部�,如基站電源模塊和路由器供電單元等�
MTVA0360N09WB1, IRFZ44N, FDN340P