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MUBW30-12E6K 發(fā)布時間 時間：2023/10/27 16:03:58 查看 閱讀：196

類別：半導(dǎo)體模塊

目錄

概述

類別：半導(dǎo)體模塊
家庭：IGBTs
IGBT 類型：-
配置：三相反相器，帶制動器
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）：1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）：3.6V @ 15V, 30A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）：30A
電流 - 集電極截止（最大）：1mA
Vce 時的輸入電容 (Cies)：1.18nF @ 25V
功率 - 最大：130W
輸入：三相橋式整流器
NTC 熱敏電阻：是
安裝類型：底座安裝
封裝/外殼：E1

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  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mubw30-12e6k參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝10
  • 類別半導(dǎo)體模塊
  • 家庭IGBT
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 配置三相反相器，帶制動器
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）1200V
  • Vge, Ic時的最大Vce（開）3.6V @ 15V，30A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）30A
  • 電流 - 集電極截止（最大）1mA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)1.18nF @ 25V
  • 功率 - 最大130W
  • 輸入三相橋式整流器
  • NTC 熱敏電阻是
  • 安裝類型底座安裝
  • 封裝/外殼E1
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝E1