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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MUN2111T1

MUN2111T1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 19:08:08 查看 閱讀�36

MUN2111T1是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電力電子�(yīng)用場(chǎng)合。其封裝形式為TO-263(D2PAK�,能夠有效提高散熱性能并支持大電流操作。MUN2111T1通常被用作功率開�(guān)或負(fù)載驅(qū)�(dòng)�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)控制和工�(yè)自動(dòng)化領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷�70nC
  總功耗:150W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  存儲(chǔ)溫度范圍�-65℃至+175�

特�

MUN2111T1具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))確保了在高電流條件下有更高的效率和更低的功率損��
  2. 快速開�(guān)能力使得該器件非常適合高頻開�(guān)�(yīng)��
  3. 高雪崩能量能力增�(qiáng)了其在惡劣環(huán)境下的可靠性�
  4. 熱穩(wěn)定性良�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代設(shè)�(jì)中�

�(yīng)�

MUN2111T1適用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)��
  3. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路�
  4. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)和逆變器�
  5. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器的電源模塊�
  6. LED照明系統(tǒng)的驅(qū)�(dòng)電路�

替代型號(hào)

IRF840, STP50NF06, FDP5800

mun2111t1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mun2111t1資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

mun2111t1參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝10
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�PNP - �(yù)偏壓
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�10k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�10k
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)35 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�-
  • 功率 - 最�230mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-59
  • 包裝剪切� (CT)
  • 其它名稱MUN2111T1OSCT