MUN2211T1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高�、高效和高功率應(yīng)用設(shè)計。該器件采用增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于射頻放大器、電源轉(zhuǎn)換器以及通信系統(tǒng)等場��
相比傳統(tǒng)硅基器件,MUN2211T1G 提供了更高的工作頻率和更低的能量損�,從而優(yōu)化了系統(tǒng)的整體性能�
型號:MUN2211T1G
類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
最大漏源電壓:650 V
最大漏極電流:18 A
�(dǎo)通電阻:35 mΩ
柵極電荷�75 nC
反向恢復(fù)時間:無(因?yàn)槭菃螛O性器件)
工作溫度范圍�-55� � +175�
MUN2211T1G 的主要特�(diǎn)是其采用了先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),這使得它具備以下�(yōu)�(diǎn)�
1. 高擊穿電壓:高達(dá) 650V 的耐壓能力使其適用于高壓環(huán)境�
2. 低導(dǎo)通電阻:� 35mΩ 的導(dǎo)通電阻顯著降低了�(dǎo)通損��
3. 快速開�(guān)性能:由于其低柵極電荷和單極性載流子傳輸�(jī)制,能夠?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān),減少開�(guān)損��
4. 高溫�(wěn)定性:能夠� -55� � +175� 的寬溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
5. 高效節(jié)能:在高頻條件下仍能保持高效的能量轉(zhuǎn)�,非常適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需��
MUN2211T1G 廣泛�(yīng)用于需要高性能、高效率的領(lǐng)域:
1. 射頻功率放大器:用于無線通信基站、雷�(dá)和其他射頻發(fā)射設(shè)��
2. 電源管理:包� DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電��
3. 新能源汽車:在車載充電器和逆變器中提供更高效的電力�(zhuǎn)換�
4. 工業(yè)自動化:如電�(jī)�(qū)動器和工�(yè)電源,以提高�(shè)備的能效�
5. 太陽能逆變器:用于將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流�,提升轉(zhuǎn)換效��
MUN2212T1G, MUN2213T1G