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MUN2211T1G 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 11:39:52 查看 閱讀�35

MUN2211T1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高�、高效和高功率應(yīng)用設(shè)計。該器件采用增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適合用于射頻放大器、電源轉(zhuǎn)換器以及通信系統(tǒng)等場��
  相比傳統(tǒng)硅基器件,MUN2211T1G 提供了更高的工作頻率和更低的能量損�,從而優(yōu)化了系統(tǒng)的整體性能�

參數(shù)

型號:MUN2211T1G
  類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
  最大漏源電壓:650 V
  最大漏極電流:18 A
  �(dǎo)通電阻:35 mΩ
  柵極電荷�75 nC
  反向恢復(fù)時間:無(因?yàn)槭菃螛O性器件)
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

MUN2211T1G 的主要特�(diǎn)是其采用了先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),這使得它具備以下�(yōu)�(diǎn)�
  1. 高擊穿電壓:高達(dá) 650V 的耐壓能力使其適用于高壓環(huán)境�
  2. 低導(dǎo)通電阻:� 35mΩ 的導(dǎo)通電阻顯著降低了�(dǎo)通損��
  3. 快速開�(guān)性能:由于其低柵極電荷和單極性載流子傳輸�(jī)制,能夠?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān),減少開�(guān)損��
  4. 高溫�(wěn)定性:能夠� -55� � +175� 的寬溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
  5. 高效節(jié)能:在高頻條件下仍能保持高效的能量轉(zhuǎn)�,非常適合現(xiàn)代電力電子設(shè)備的需��

�(yīng)�

MUN2211T1G 廣泛�(yīng)用于需要高性能、高效率的領(lǐng)域:
  1. 射頻功率放大器:用于無線通信基站、雷�(dá)和其他射頻發(fā)射設(shè)��
  2. 電源管理:包� DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電��
  3. 新能源汽車:在車載充電器和逆變器中提供更高效的電力�(zhuǎn)換�
  4. 工業(yè)自動化:如電�(jī)�(qū)動器和工�(yè)電源,以提高�(shè)備的能效�
  5. 太陽能逆變器:用于將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流�,提升轉(zhuǎn)換效��

替代型號

MUN2212T1G, MUN2213T1G

mun2211t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mun2211t1g資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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mun2211t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN - �(yù)偏壓
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�10k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�10k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)35 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�-
  • 功率 - 最�338mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-59
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MUN2211T1GOSMUN2211T1GOS-NDMUN2211T1GOSTR