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MUN2214T1G 發(fā)布時間 時間:2025/4/29 9:38:58 查看 閱讀:33

MUN2214T1G 是一款 N 沃特公司(Nexperia)生產(chǎn)的高壓、高速 MOSFET 開關(guān)器件,采用 Trench 技術(shù)制造。該器件適用于需要高效開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場景。其封裝形式為 SOT223,具有出色的散熱性能,適合于功率轉(zhuǎn)換、負載開關(guān)以及電機驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域。
  該器件屬于邏輯電平 MOSFET,能夠以較低的柵極驅(qū)動電壓實現(xiàn)高效的導(dǎo)通,從而在便攜式設(shè)備和電源管理系統(tǒng)中得到了廣泛應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏電流:8.9A
  最大脈沖漏電流:35A
  柵源電壓:±20V
  柵極電荷:18nC
  導(dǎo)通電阻:0.18Ω
  開關(guān)時間:ton=18ns,toff=14ns
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至+150℃

特性

MUN2214T1G 具有以下主要特性:
  1. 高效的開關(guān)性能,導(dǎo)通電阻低,可顯著降低功率損耗。
  2. 采用先進的 Trench MOSFET 技術(shù),提高了單位面積內(nèi)的電流承載能力。
  3. 支持邏輯電平驅(qū)動,適合電池供電或低電壓系統(tǒng)。
  4. 快速開關(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  5. 封裝形式為 SOT223,提供良好的散熱性能和機械穩(wěn)定性。
  6. 工作溫度范圍寬廣,適用于惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。
  7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。

應(yīng)用

MUN2214T1G 的典型應(yīng)用場景包括:
  1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流開關(guān)。
  2. 開關(guān)電源(SMPS)中的高頻開關(guān)元件。
  3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關(guān)或保護開關(guān)。
  4. 電機驅(qū)動電路中的功率級開關(guān)。
  5. 各類消費電子產(chǎn)品的電源管理模塊。
  6. 工業(yè)控制和汽車電子中的開關(guān)應(yīng)用。
  7. LED 驅(qū)動器和其他需要功率開關(guān)的場合。

替代型號

MUN2214T1R, PSMN2R8-60YLC, IRFZ44N

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mun2214t1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式
  • 系列-
  • 晶體管類型NPN - 預(yù)偏壓
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻器 - 基極 (R1)(歐)10k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐)47k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA,10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換-
  • 功率 - 最大230mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-59
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MUN2214T1GOSMUN2214T1GOS-NDMUN2214T1GOSTR