MUN5113DW1 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,適用于高頻開關(guān)�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的封裝工藝和材料�(shè)�(jì),能夠在高頻率下�(shí)�(xiàn)低開�(guān)損耗和高效率轉(zhuǎn)�。它廣泛�(yīng)用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備以及通信系統(tǒng)的射頻功率放大等�(lǐng)��
該芯片通過�(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),顯著提升了�(dòng)�(tài)性能,并降低了寄生電感對系統(tǒng)的影響。此�,其高擊穿電壓特性使得該器件在高電壓�(yīng)用場景中表現(xiàn)出色�
類型:增�(qiáng)� GaN 功率晶體�
最大漏源電�(Vds)�600V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�13A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�40mΩ
柵極電荷(Qg)�80nC
輸入電容(Ciss)�1750pF
輸出電容(Coss)�75pF
反向傳輸電容(Crss)�30pF
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
MUN5113DW1 的主要特�(diǎn)包括以下幾點(diǎn)�
1. 高效性能:得益于氮化鎵材料的�(yōu)異特�,這款晶體管能夠以更低的導(dǎo)通電阻提供更高的效率,同�(shí)支持高頻操作,減少磁性元件體��
2. 快速開�(guān)速度:其極低的柵極電荷與輸出電容值確保了更快的開�(guān)響應(yīng)�(shí)間,從而降低開�(guān)損��
3. 熱穩(wěn)定性:具備出色的熱管理能力,在高負(fù)載條件下仍能保持�(wěn)定運(yùn)��
4. 小型化設(shè)�(jì):采用緊湊型封裝形式,有助于減小整體電路板空間占��
5. �(qiáng)大的耐壓能力:高�(dá)600V的漏源電壓使其適合多種高壓應(yīng)用場��
MUN5113DW1 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器�
用于服務(wù)器電�、電信設(shè)備以及工�(yè)自動(dòng)化中的高效能量轉(zhuǎn)換模��
2. 充電器與適配器:
為筆記本電腦、智能手�(jī)以及其他電子�(shè)備提供快速充電解決方案�
3. 無線電力傳輸�
支持高效率無線充電技�(shù),滿足消�(fèi)類電子產(chǎn)品需求�
4. 射頻功率放大器:
在通信基站及雷�(dá)系統(tǒng)中發(fā)揮重要作�,提供高增益和線性度表現(xiàn)�
5. 新能源汽車:
作為車載逆變器或OBC(車載充電機(jī))的核心組件,幫助提升電�(dòng)汽車能源利用效率�
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