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MUN5131 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/30 9:09:04 查看 閱讀:34

MUN5131是一種高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等場(chǎng)景。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
  MUN5131的主要特點(diǎn)是其優(yōu)異的電氣性能和可靠性,適用于需要高效能和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)合。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:5.2A
  導(dǎo)通電阻:45mΩ
  柵極電荷:11nC
  輸入電容:790pF
  開關(guān)時(shí)間:ton=8ns, toff=16ns
  工作溫度范圍:-55°C至+150°C

特性

MUN5131具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
  3. 高擊穿電壓,確保在高壓條件下的可靠運(yùn)行。
  4. 小巧的封裝尺寸,便于緊湊型設(shè)計(jì)。
  5. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性和耐熱能力,支持在極端溫度條件下使用。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。

應(yīng)用

MUN5131廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率開關(guān)。
  3. 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路。
  4. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  5. 各種電池管理系統(tǒng)的開關(guān)元件。
  6. 便攜式設(shè)備中的電源管理模塊。

替代型號(hào)

MUN5132, MUN5133, IRF540N

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