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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MUN5214DW1

MUN5214DW1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 16:20:57 查看 閱讀�21

MUN5214DW1是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠在高頻�(yīng)用中提供卓越的效率和可靠性�
  其封裝形式為DPAK(TO-252�,能夠有效提升散熱性能,適用于要求�(yán)格的工作�(huán)��

參數(shù)

�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源極電壓VDS�60V
  最大柵源極電壓VGS:�20V
  連續(xù)漏極電流ID�38A
  �(dǎo)通電阻RDS(on)�4.5mΩ(在VGS=10V�(shí)�
  柵極電荷Qg�70nC
  輸入電容Ciss�1650pF
  總熱阻(�(jié)到環(huán)境)RθJA�40�/W

特�

MUN5214DW1具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低功率損��
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)系統(tǒng)可靠��
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子設(shè)備的要求�
  5. 提供�(yōu)異的抗電磁干擾性能,減少系�(tǒng)�(shè)�(jì)�(fù)雜度�
  6. 良好的熱�(wěn)定性,確保�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的可靠��
  7. 支持大電流操作,適合工業(yè)�(jí)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用需��

�(yīng)�

該MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開(kāi)�(guān)元件�
  3. 各類(lèi)電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如�(wú)刷直流電�(jī)控制�
  4. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載切��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
  6. LED�(qū)�(dòng)電路中的高效�(kāi)�(guān)元件�
  7. 其他需要高性能功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

IRF540N
  STP55NF06L
  FDP55N06L

mun5214dw1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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