MUN5214DW1是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)特�,能夠在高頻�(yīng)用中提供卓越的效率和可靠性�
其封裝形式為DPAK(TO-252�,能夠有效提升散熱性能,適用于要求�(yán)格的工作�(huán)��
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源極電壓VDS�60V
最大柵源極電壓VGS:�20V
連續(xù)漏極電流ID�38A
�(dǎo)通電阻RDS(on)�4.5mΩ(在VGS=10V�(shí)�
柵極電荷Qg�70nC
輸入電容Ciss�1650pF
總熱阻(�(jié)到環(huán)境)RθJA�40�/W
MUN5214DW1具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低功率損��
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)系統(tǒng)可靠��
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子設(shè)備的要求�
5. 提供�(yōu)異的抗電磁干擾性能,減少系�(tǒng)�(shè)�(jì)�(fù)雜度�
6. 良好的熱�(wěn)定性,確保�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的可靠��
7. 支持大電流操作,適合工業(yè)�(jí)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用需��
該MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開(kāi)�(guān)元件�
3. 各類(lèi)電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如�(wú)刷直流電�(jī)控制�
4. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載切��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
6. LED�(qū)�(dòng)電路中的高效�(kāi)�(guān)元件�
7. 其他需要高性能功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)��
IRF540N
STP55NF06L
FDP55N06L