MUN5215DW1T1G 是一款由 Microchip 推出� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電源管理和電�(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。其封裝形式� TO-263 (D2PAK),能夠有效提高散熱性能,確保在高電流和高功率環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
� MOSFET 的設(shè)�(jì)使其能夠在廣泛的電壓范圍�(nèi)工作,同�(shí)提供高效的功率轉(zhuǎn)換和較低的功�。由于其出色的電氣特性和可靠性,MUN5215DW1T1G 成為了許多工�(yè)、汽車和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的首選解決方案�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�49A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.7mΩ
柵極電荷(典型值)�11nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� � 175�
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
MUN5215DW1T1G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能力,支持大功率應(yīng)��
3. 快速開�(guān)特性,降低開關(guān)損�,適合高頻電路�
4. �(qiáng)大的熱性能表現(xiàn),有助于改善�(zhǎng)期穩(wěn)定��
5. 廣泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代設(shè)�(jì)要求�
這些特性使� MUN5215DW1T1G 在功率變�、電�(jī)控制和其他電力電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
MUN5215DW1T1G 被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
4. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)�
5. 太陽能逆變器和不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
其強(qiáng)大的電流處理能力和高效性能使其成為眾多高功率應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇�
MUN5215GW1T1G, IRFZ44N, FDP55N06L