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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MUN5215DW1T1G

MUN5215DW1T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 0:34:04 查看 閱讀�20

MUN5215DW1T1G 是一款由 Microchip 推出� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電源管理和電�(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)�。其封裝形式� TO-263 (D2PAK),能夠有效提高散熱性能,確保在高電流和高功率環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  � MOSFET 的設(shè)�(jì)使其能夠在廣泛的電壓范圍�(nèi)工作,同�(shí)提供高效的功率轉(zhuǎn)換和較低的功�。由于其出色的電氣特性和可靠性,MUN5215DW1T1G 成為了許多工�(yè)、汽車和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的首選解決方案�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�49A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.7mΩ
  柵極電荷(典型值)�11nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55� � 175�
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)

特�

MUN5215DW1T1G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能力,支持大功率應(yīng)��
  3. 快速開�(guān)特性,降低開關(guān)損�,適合高頻電路�
  4. �(qiáng)大的熱性能表現(xiàn),有助于改善�(zhǎng)期穩(wěn)定��
  5. 廣泛的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代設(shè)�(jì)要求�
  這些特性使� MUN5215DW1T1G 在功率變�、電�(jī)控制和其他電力電子應(yīng)用中表現(xiàn)出色�

�(yīng)�

MUN5215DW1T1G 被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
  4. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)�
  5. 太陽能逆變器和不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
  其強(qiáng)大的電流處理能力和高效性能使其成為眾多高功率應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇�

替代型號(hào)

MUN5215GW1T1G, IRFZ44N, FDP55N06L

mun5215dw1t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mun5215dw1t1g資料 更多>

  • 型號(hào)
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mun5215dw1t1g�(chǎn)�

mun5215dw1t1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�2 �(gè) NPN �(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�10k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�-
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)160 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 1mA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�-
  • 功率 - 最�250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MUN5215DW1T1G-NDMUN5215DW1T1GOSTR