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MUN5232DW1T1G 發(fā)布時間 時間:2023/3/31 10:45:14 查看 閱讀:731

產(chǎn)品種類: 數(shù)字晶體管

目錄

概述

制造商:ON Semiconductor

產(chǎn)品種類:數(shù)字晶體管

配置:Dual

晶體管極性:NPN

典型輸入電阻器:4.7 KOhm

典型電阻器比率:1

封裝 / 箱體:SOT-363(PB-Free)

直流電流增益 hFE 最小值:15 @ 5mA @ 10V

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V

集電極連續(xù)電流:100 mAdc

峰值直流集電極電流:100 mA

功率耗散:256 mW

最大工作溫度:+ 150℃

封裝:Reel

最小工作溫度:- 55℃

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

資料

廠商
ON Semiconductor

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mun5232dw1t1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
  • 系列-
  • 晶體管類型2 個 NPN 預(yù)偏壓式(雙)
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻器 - 基極 (R1)(歐)4.7k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)(歐)4.7k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)15 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 1mA,10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MUN5232DW1T1G-NDMUN5232DW1T1GOSTR