国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好,歡迎來到維庫電子市場網 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > MUN5312DW1T1G

MUN5312DW1T1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 12:46:41 查看 閱讀�18

MUN5312DW1T1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效率功率晶體管,適用于高頻、高功率密度的應用場景。該器件采用了先進的 GaN 工藝,具備卓越的開關性能和低導通電阻特�,廣泛用于電源轉�、通信設備以及工業(yè)驅動等領��
  該型號屬� Wolfspeed 公司旗下的增強型 GaN FET 系列產品,其封裝形式為符合行�(yè)標準的小型表面貼裝封�,便于在 PCB 板上集成和散熱管理�

參數

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�12A
  導通電阻:45mΩ
  柵極電荷�80nC
  開關頻率:高� 5MHz
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝類型:DFN8 封裝

特�

MUN5312DW1T1G 的主要特點是高效率和高功率密度:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,顯著減少了傳導損�,從而提高了系統(tǒng)效率�
  2. 超快的開關速度,支持高� 5MHz 的開關頻率,使得設計更緊湊并減少磁性元件的體積�
  3. 內置 ESD 保護功能,增強了器件的可靠��
  4. 高溫操作能力,能夠在高達 150°C 的環(huán)境溫度下�(wěn)定運行�
  5. 采用 DFN8 封裝,提供良好的熱性能和電氣連接,同時減小了寄生電感的影��

應用

MUN5312DW1T1G 適用于多種高性能應用領域�
  1. 開關模式電源(SMPS)中� DC-DC 轉換��
  2. 圖形卡供電模塊和服務器電源單元�
  3. 無線充電器及電動汽車充電��
  4. 高頻逆變器與電機驅動控制�
  5. 快速充電適配器和其他便攜式電子設備的高效電源解決方案�

替代型號

MUN5312DQ1T1G, MUN5312DS1T1G

mun5312dw1t1g推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mun5312dw1t1g資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

mun5312dw1t1g參數

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列﹐預偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類�1 � NPN�1 � PNP - 預偏壓式(雙�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�22k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�22k
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)60 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - 轉換-
  • 功率 - 最�250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應商設備封�SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MUN5312DW1T1G-NDMUN5312DW1T1GOSTR