MUN5312DW1T1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效率功率晶體管,適用于高頻、高功率密度的應用場景。該器件采用了先進的 GaN 工藝,具備卓越的開關性能和低導通電阻特�,廣泛用于電源轉�、通信設備以及工業(yè)驅動等領��
該型號屬� Wolfspeed 公司旗下的增強型 GaN FET 系列產品,其封裝形式為符合行�(yè)標準的小型表面貼裝封�,便于在 PCB 板上集成和散熱管理�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�12A
導通電阻:45mΩ
柵極電荷�80nC
開關頻率:高� 5MHz
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝類型:DFN8 封裝
MUN5312DW1T1G 的主要特點是高效率和高功率密度:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,顯著減少了傳導損�,從而提高了系統(tǒng)效率�
2. 超快的開關速度,支持高� 5MHz 的開關頻率,使得設計更緊湊并減少磁性元件的體積�
3. 內置 ESD 保護功能,增強了器件的可靠��
4. 高溫操作能力,能夠在高達 150°C 的環(huán)境溫度下�(wěn)定運行�
5. 采用 DFN8 封裝,提供良好的熱性能和電氣連接,同時減小了寄生電感的影��
MUN5312DW1T1G 適用于多種高性能應用領域�
1. 開關模式電源(SMPS)中� DC-DC 轉換��
2. 圖形卡供電模塊和服務器電源單元�
3. 無線充電器及電動汽車充電��
4. 高頻逆變器與電機驅動控制�
5. 快速充電適配器和其他便攜式電子設備的高效電源解決方案�
MUN5312DQ1T1G, MUN5312DS1T1G