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MUN5330DW1T1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/3/29 11:52:38 查看 閱讀：1176

制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: 數(shù)字晶體管

目錄

概述

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: 數(shù)字晶體管

配置: Dual

晶體管極性: NPN

典型輸入電阻器: 1 KOhm

典型電阻器比率: 1

封裝 / 箱體: SC-70-6

直流電流增益 hFE 最小值: 3 @ 5mA @ 10V

集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO: 50 V

集電極連續(xù)電流: 0.1 A

峰值直流集電極電流: 100 mA

功率耗散: 187 mW

最大工作溫度: + 150℃

封裝: Reel

最小工作溫度: - 55℃

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

資料

廠商
ON Semiconductor

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mun5330dw1t1g產(chǎn)品

mun5330dw1t1g參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式
  • 系列-
  • 晶體管類型1 個(gè) NPN，1 個(gè) PNP - 預(yù)偏壓式（雙）
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）50V
  • 電阻器 - 基極 (R1)（歐）1k
  • 電阻器 - 發(fā)射極 (R2)（歐）1k
  • 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE)3 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）250mV @ 5mA，10mA
  • 電流 - 集電極截止（最大）500nA
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-363
  • 包裝帶卷 (TR)