MURA210T3G 是一款基于硅技�(shù)制造的 N 溝能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為高效率和高性能�(yīng)用設(shè)�。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式工藝,能夠顯著降低導(dǎo)通電�,同時優(yōu)化開�(guān)性能。其主要特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及出色的熱�(wěn)定�,適用于各種電源管理場景�
型號:MURA210T3G
類型:N 溝道 MOSFET
VDS(漏源電壓)�60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ(典型值,@VGS=10V�
ID(連續(xù)漏極電流):187A
VGS(柵源電壓):�20V
Qg(總柵極電荷):100nC
EAS(雪崩能量)�2.1mJ
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
MURA210T3G 的核心優(yōu)勢在于其卓越的電氣性能和可靠��
1. 低導(dǎo)通電阻:4.5mΩ 的典型導(dǎo)通電阻使其在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,降低了功率損��
2. 高電流處理能力:支持高達(dá) 187A 的連續(xù)漏極電流,適用于工業(yè)級大功率�(yīng)用�
3. 快速開�(guān)特性:總柵極電荷僅� 100nC,從而實(shí)�(xiàn)高效的高頻開�(guān)操作�
4. 寬工作溫度范圍:能夠� -55°C � +175°C 的極端環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行,適合惡劣條件下的�(yīng)��
5. 雪崩能量保護(hù):內(nèi)置雪崩能量保�(hù)功能,增�(qiáng)器件在異常情況下的耐用��
6. TO-247-3 封裝:提供良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)�,便于安裝和維護(hù)�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)�,例如:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器(DC-DC Converter�
3. 電機(jī)�(qū)動與控制
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切�
5. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)
6. 電動汽車充電基礎(chǔ)�(shè)施中的功率管�
MURA210T3G 的高性能和高可靠性使其成為上述應(yīng)用的理想選擇�
MUR210T3G, IRF210, STP200N10F5